晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1 [2]所示。首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實現(xiàn)曝光，激發(fā)光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤使得光化學反應更充分。***，把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上，對曝光圖形顯影。顯影后，掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機中完成的，曝光是在光刻機中完成的。勻膠顯影機和光刻機一般都是聯(lián)機作業(yè)的，晶圓通過機械手在各單元和機器之間傳送。整個曝光顯影系統(tǒng)是封閉的，晶圓不直接暴露在周圍環(huán)境中，以減少環(huán)境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響 [2]。大規(guī)模集成電路（LSI英文全名為Large Scale Integration）邏輯門101~1k個或 晶體管1,001~10k個。虹口區(qū)本地電阻芯片批量定制

74系列是標準的TTL邏輯器件的通用名稱，例如74LS00、74LS02等等，單從74來看看不出是什么公司的產(chǎn)品。不同公司會在74前面加前綴，例如SN74LS00等。相關(guān)拓展一個完整的IC型號一般都至少必須包含以下四個部分:前綴（首標）-----很多可以推測是哪家公司產(chǎn)品。器件名稱----一般可以推斷產(chǎn)品的功能（memory可以得知其容量）。溫度等級-----區(qū)分商業(yè)級，工業(yè)級，軍級等。一般情況下，C表示民用級，Ⅰ表示工業(yè)級，E表示擴展工業(yè)級，A表示航空級，M表示**級。黃浦區(qū)個性化電阻芯片工廠直銷電阻結(jié)構(gòu)，電阻結(jié)構(gòu)的長寬比，結(jié)合表面電阻系數(shù)，決定電阻。

在使用自動測試設(shè)備（ATE）包裝前，每個設(shè)備都要進行測試。測試過程稱為晶圓測試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個被稱為晶片（“die”）。每個好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線，連接到封裝內(nèi)，pads通常在die的邊上。封裝之后，設(shè)備在晶圓探通中使用的相同或相似的ATE上進行終檢。測試成本可以達到低成本 產(chǎn)品的制造成本的25%，但是對于低產(chǎn)出，大型和/或高成本的設(shè)備，可以忽略不計。在2005年，一個制造廠（通常稱為半導體工廠，常簡稱fab，指fabrication facility）建設(shè)費用要超過10億美元，因為大部分操作是自動化的。 [1]

球柵數(shù)組封裝封裝從20世紀70年代開始出現(xiàn)，90年***發(fā)了比其他封裝有更多管腳數(shù)的覆晶球柵數(shù)組封裝封裝。在FCBGA封裝中，晶片（die）被上下翻轉(zhuǎn)（flipped）安裝，通過與PCB相似的基層而不是線與封裝上的焊球連接。FCBGA封裝使得輸入輸出信號陣列（稱為I/O區(qū)域）分布在整個芯片的表面，而不是限制于芯片的**。如今的市場，封裝也已經(jīng)是**出來的一環(huán)，封裝的技術(shù)也會影響到產(chǎn)品的質(zhì)量及良率。 [1]封裝概念狹義:利用膜技術(shù)及微細加工技術(shù)，將芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘貼固定及連接，引出接線端子并通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝。首先是芯片設(shè)計，根據(jù)設(shè)計的需求，生成的“圖樣”。

一、根據(jù)一個芯片上集成的微電子器件的數(shù)量，集成電路可以分為以下幾類：小型集成電路（SSI英文全名為Small Scale Integration）邏輯門10個以下或 晶體管100個以下。中型集成電路（MSI英文全名為Medium Scale Integration）邏輯門11~100個或 晶體管101~1k個。大規(guī)模集成電路（LSI英文全名為Large Scale Integration）邏輯門101~1k個或 晶體管1,001~10k個。超大規(guī)模集成電路（VLSI英文全名為Very large scale integration）邏輯門1,001~10k個或 晶體管10,001~100k個。這種電路提供更小的尺寸和更低的成本，但是對于信號必須小心。崇明區(qū)智能電阻芯片推薦貨源

雖然設(shè)計開發(fā)一個復雜集成電路的成本非常高，但是當分散到通常以百萬計的產(chǎn)品上，每個集成電路的成本小化。虹口區(qū)本地電阻芯片批量定制

此方法通過對電路輸入不同的測試向量得到對應電路的邏輯輸出值，然后將采集的電路邏輯輸出值與該輸入向量對應的電路預期邏輯輸出值進行對比，來達到檢測電路在實際運行環(huán)境中能否實現(xiàn)預期邏輯功能的目的。此方法簡單卻并不適用于冗余較多的大規(guī)模的集成電路。若缺陷出現(xiàn)在冗余部分就無法被檢測出來。而且當電路規(guī)模較大時，測試向量集也會成倍增長，這會直接導致測試向量的生成難且診斷效率低下等問題。此外，如果故障只影響電路性能而非電路邏輯功能時，電壓診斷也無法檢測出來。虹口區(qū)本地電阻芯片批量定制

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