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IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動...

E 節(jié)能照明：隧道照明，路燈照明，攝影照明，舞臺燈光F 化學工業(yè)：蒸餾蒸發(fā)，預熱系統(tǒng)，管道加熱，石油化工，溫度補償G 其它行業(yè)：鹽浴爐，工頻感應爐，淬火爐溫控，熱處理爐溫控，金剛石壓機加熱，大功率充磁/退磁設備，航空電源調壓，中央空調電加熱器溫控，紡織機械，水...

阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，...

若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。可按圖2方法進一步測量，對于單向可控硅，閉合開關K，燈應發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。對于雙向可控硅，閉合開關K，燈應發(fā)亮，斷開K，燈應不息滅。然后將電池反接，...

觸發(fā)電流（I_gt）和觸發(fā)電壓（V_gt）：用于觸發(fā)晶閘管導通的電流和電壓。關斷時間（t_q）：晶閘管從完全導通狀態(tài)到完全關斷狀態(tài)所需的時間。導通壓降（V_f）：晶閘管在導通狀態(tài)下兩端的電壓降。浪涌電流能力（I_tsm）：晶閘管能夠承受的短時過載電流。動態(tài)dv...

4、故障解除：當整流器故障時，發(fā)出燈光報警信號并停機，操作人員應在排除故障以后可 合閘，否則將擴大故障范圍，造成更大損失，故障排除后，可將 K 主令開關置一下，除去電 笛聲，排除故障后，然后按正常運行程序開機。5、起動后，直流輸出電壓或電流達不到額定值則丟脈沖...

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅...

保護裝置整流變壓器微機保護裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機、高精度電流電壓互感器、高絕緣強度出口中間繼電器、高可靠開關電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護、通訊為一體化的一種經(jīng)濟型保護。整流變壓器微機保護裝置的優(yōu)點1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護，...

(2) 認真核對變壓器基礎橫、縱軸線尺寸及預埋管位置，并與圖紙所給尺寸核對，無誤后方可進行下一步工作。2.2 變壓器開箱檢查(1) 變壓器到貨后開箱檢查時，應會同業(yè)主、監(jiān)理及廠家的有關人員一同檢查。(2) 在卸車前測量和記錄沖擊記錄器的沖擊值，這個數(shù)值應小于3...

觸發(fā)電流（I_gt）和觸發(fā)電壓（V_gt）：用于觸發(fā)晶閘管導通的電流和電壓。關斷時間（t_q）：晶閘管從完全導通狀態(tài)到完全關斷狀態(tài)所需的時間。導通壓降（V_f）：晶閘管在導通狀態(tài)下兩端的電壓降。浪涌電流能力（I_tsm）：晶閘管能夠承受的短時過載電流。動態(tài)dv...

可控硅導通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控硅才會處于導通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導通。 可控硅關斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的...

表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅動電路的變化而變化，因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當?shù)恼驏艍?。并且?..

同時，晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢也日益明顯。通過集成先進的控制算法和通信技術，晶閘管模塊能夠實現(xiàn)更復雜的電力電子控制和能源管理功能，為未來的智能電網(wǎng)和分布式能源系統(tǒng)提供有力支持。綜上所述，晶閘管模塊作為現(xiàn)代電力電子技術中的重要器件，以其獨特的性能和廣闊的應...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductor module）。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件?？煽毓枘K從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整...

當控制極G接收到觸發(fā)信號時，晶閘管會從截止狀態(tài)轉變?yōu)閷顟B(tài)。值得注意的是，一旦晶閘管導通，即使控制極信號消失，只要陽極和陰極間維持著正向電壓，它將繼續(xù)保持導通狀態(tài)，直到陽極電流降至維持電流以下或陽極出現(xiàn)反向偏置時，才會重新回到截止狀態(tài)。二、應用領域晶閘管模塊...

普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件，出現(xiàn)于70年代。pnpn四層半導體結構，有三個極：陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現(xiàn)使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。普通晶閘管t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與...

b、主電路用螺絲擰緊，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式。c、裝卸時應采用接地工作臺，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測量時，將1000電阻與g極串聯(lián)。e、要在無電源時進行安裝。f,焊接g極時，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適。當手工焊...

通常，小規(guī)模的ipm的特點在于其引線框架技術。穿孔銅板用作功率開關和驅動ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進行散熱。 用于中高功率應用的ipm模塊的設計特點是將模塊分為兩個層次。功率半導體在底部，驅動器和保護電路在上部。本領域內名氣比較大的ipm是賽...

性能的差別將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。...

2010年，中國科學院微電子研究所成功研制國內***可產(chǎn)業(yè)化IGBT芯片，由中國科學院微電子研究所設計研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產(chǎn)品（采用Planar NPT器件結構）在華潤微電子工藝平臺上流片成功，各項參數(shù)均達到設計要求，部分性能優(yōu)于國外...

IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR...

將其分成兩個6脈波TCR來進行分析。以一次測A相基波線電流為參考向量，表示了一個星一星聯(lián)結變壓器的TCR在其一次側產(chǎn)生的基波、5次和7次線電流的向量圖。同樣的，我們也可以得到星形一三角形聯(lián)結變壓器的TCR在其一次側產(chǎn)生的基波、5次和7次線電流的向量圖。由于都是...

當晶閘管全部導通時，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)。只在關斷時才會出現(xiàn)動態(tài)閂鎖。這一特殊現(xiàn)象嚴重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象，有必要采取以下措施：一是防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外，閂鎖...

實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。 IGBT的觸發(fā)和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅動電路產(chǎn)生。當選擇這些驅動電路時，必須基于以下的...

二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為...

電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層...

當晶閘管全部導通時，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)。只在關斷時才會出現(xiàn)動態(tài)閂鎖。這一特殊現(xiàn)象嚴重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象，有必要采取以下措施：一是防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外，閂鎖...

其特點是：超前橋臂實現(xiàn)零電壓開通，原理不變；滯后橋臂實現(xiàn)零電流關斷，開關管兩端不再并聯(lián)電容，以避免開通時電容釋放的能量加大開通損耗。在此對移相全橋 ZVZCS PWM 變換器的基本原理做一簡要介紹。 [5]圖4 工作波形基本移相全橋 ZVZCS 電路及主要工作...

IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。MOSFET由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET...

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發(fā)導通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號，...