由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,所以元件在關(guān)斷過程中,正向電壓下降到零時(shí),內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時(shí)反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L(di/dt)值仍很大,這個(gè)電勢和電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,稱為關(guān)斷過電壓,其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上...
5光控晶閘管是通過光信號(hào)控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件,它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過電壓承受能力,因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A。6逆變晶閘管因具有較短的關(guān)斷時(shí)間(10~15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中,它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前,其比較大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。7非對稱晶閘管是一種正、反向電壓耐量不對稱的晶閘管。而逆導(dǎo)晶閘管不過是非對稱晶閘管的一種特例,是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯...
晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過程中,晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載相連,構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,形成晶閘管模塊的控制電路。 從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程: 晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。 當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽極電壓時(shí),為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅,承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此,當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí),兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會(huì)形成較強(qiáng)的...
紅表筆接K極時(shí),電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無窮大;然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極,加上正向觸發(fā)信號(hào),表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通;脫開G極,只要GTO維持通態(tài),就說明被測管具有觸發(fā)能力。3.檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào),如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,證明GTO具有關(guān)斷能力。4.估測關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí),...
它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力??申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1僅繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界...
公司是專業(yè)從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)、制作、銷售于一體的高新技術(shù)企業(yè)公司主要產(chǎn)品:MTC(A、K、X)、MDC(A、K)、MFC(A、K、X)系列功率半導(dǎo)體模塊;MDS、MDQ、MFQ、MFF系列單相、三相整流橋模塊;BJD(H)系列單相、BJT(H)系列三相固繼電器;晶閘管智能模塊;ZP、ZK系列整流管;KP、KK、KS系列晶閘管;各種功率組件;電力電子器件用散熱器等。公司系列產(chǎn)品服務(wù)于電力、冶金、石油、煤炭、環(huán)保、航天、有色金屬、家用電器等領(lǐng)域。以產(chǎn)品種類齊全、品質(zhì)可靠、供貨及時(shí)、服務(wù)誠信博得國內(nèi)外客戶的一致好評。我們將始終秉承“以客戶為中心”的理念和“誠信為商、不斷創(chuàng)新、追求”的宗旨,...
晶閘管模塊電流規(guī)格的選取 1、根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及負(fù)載額定電流進(jìn)行選取 (1)電阻負(fù)載的較大電流應(yīng)是負(fù)載額定電流的2倍。 (2)感性負(fù)載的較大電流應(yīng)為額定負(fù)載電流的3倍。 (3)負(fù)載電流變化較大時(shí),電流倍數(shù)適當(dāng)增大。 (4)在運(yùn)行過程中,負(fù)載的實(shí)際工作電流不應(yīng)超過模塊的較大電流。 2、散熱器風(fēng)機(jī)的選用 模塊正常工作時(shí)必須配備散熱器和風(fēng)機(jī),推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)。如果用戶是自己提供的,則使用以下原則來選擇: (1)模塊正常工作時(shí),必須能保證冷卻底板溫度不超過75℃; (2)當(dāng)模塊負(fù)載較輕時(shí),可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻; (3...
)=174A-232A顯然,通過以上的計(jì)算對于采用雙反星型并聯(lián)電路的ZX5-630;NBK-630;WSM-630焊機(jī)應(yīng)選擇MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模塊。比較好選MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模塊.當(dāng)然,焊機(jī)可靠長期正常工作除了與模塊正確選型有關(guān)外,與以下因素還有一定的關(guān)系:2焊機(jī)暫載率即額定負(fù)荷工作持續(xù)率(FS):根據(jù)焊機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)此類焊機(jī)暫載率一般為:35%;60%;。其定義如下:暫載率FS=負(fù)載滿負(fù)荷持續(xù)運(yùn)行時(shí)間(t)/[負(fù)載滿負(fù)荷持續(xù)運(yùn)行時(shí)間+休止時(shí)間]x=t/Tx上式中T為焊機(jī)的...
所述銅底板3上涂覆有硅凝膠,所述硅凝膠對所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11進(jìn)行包覆固定。從而,所述銅底板3通過所述硅凝膠實(shí)現(xiàn)對位于其上的導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11進(jìn)行固定。所述第二晶閘管單元包括:第二壓塊12、第二門極壓接式組件13、第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17。其中,所述第二壓塊12設(shè)置于所述第二門極壓接式組件13上,并通過所述第二門極壓接式組件13對所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17施加壓合作用力,所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實(shí)現(xiàn)所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17與銅底板3的固...
晶閘管模塊產(chǎn)品特點(diǎn): 1、芯片與基板電絕緣,電壓2500V; 2、 國際標(biāo)準(zhǔn)封裝; 3、壓接結(jié)構(gòu),優(yōu)良的溫度特性和動(dòng)力循環(huán)能力; 4、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC; 5、200A以下為強(qiáng)制風(fēng)冷,300A以上模塊,可以選擇風(fēng)冷或水冷。 6、安裝簡單,使用維修方便,體積小,重量輕。 典型應(yīng)用: 直流電源、交流開關(guān)、焊接設(shè)備、電機(jī)控制、調(diào)光、變頻器、UPS電源、無觸點(diǎn)開關(guān)、電機(jī)軟起動(dòng)、蓄電池充放電、靜態(tài)無功功率補(bǔ)償、工業(yè)加熱控制、各種整流電源。 正高電氣講誠信,重信譽(yù),多面整合市場推廣。山東高壓晶閘管模塊 3)換相沖擊電壓包括換相...
焊機(jī)晶閘管模塊故障維修1、松下焊機(jī)晶閘管模塊的型號(hào)及組成結(jié)構(gòu):松下焊機(jī)維修KR1系列焊機(jī)模塊型號(hào)見下表;2、松下焊機(jī)模塊的測量模塊的陰陽極電阻一般為兆歐極,陰控極電阻為幾歐至十幾歐。測量方法如下圖所示:KR1系列焊機(jī)模塊陰控極阻值見下表:另外請注意:在焊機(jī)上測量模塊陰控極電阻時(shí),需將與其相連的觸發(fā)信號(hào)線拔下:測量陰陽極的電阻時(shí),也需將與其相連的主電纜拆掉。模塊故障簡介:(1)陰控極或陰陽極斷路:如果某一組晶閘管的陰控極斷路或阻值變大(大于幾十歐),該組晶閘管就不能被觸發(fā):而某一組晶閘管的陰、陽極發(fā)生斷路時(shí),即便有觸發(fā)信號(hào),該組晶閘管也不能導(dǎo)通。以上兩種情況會(huì)造成焊機(jī)輸出缺相,所表現(xiàn)出的...
)=174A-232A顯然,通過以上的計(jì)算對于采用雙反星型并聯(lián)電路的ZX5-630;NBK-630;WSM-630焊機(jī)應(yīng)選擇MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模塊。比較好選MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模塊.當(dāng)然,焊機(jī)可靠長期正常工作除了與模塊正確選型有關(guān)外,與以下因素還有一定的關(guān)系:2焊機(jī)暫載率即額定負(fù)荷工作持續(xù)率(FS):根據(jù)焊機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)此類焊機(jī)暫載率一般為:35%;60%;。其定義如下:暫載率FS=負(fù)載滿負(fù)荷持續(xù)運(yùn)行時(shí)間(t)/[負(fù)載滿負(fù)荷持續(xù)運(yùn)行時(shí)間+休止時(shí)間]x=t/Tx上式中T為焊機(jī)的...
并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力,所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片依次設(shè)置于所述銅底板上。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),任一所述接頭包括:螺栓和螺母,所述螺栓與螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),所述壓塊和第二壓塊上還設(shè)置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈...
充電電源,電機(jī)調(diào)速,感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件,實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)軋機(jī)原器件的國產(chǎn)化;6K、6G、8K、8G電力機(jī)車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化,使用壽命超過了進(jìn)口元件。在自動(dòng)控制方面,我公司成功開發(fā)出各種工控板,應(yīng)用在各種不同的場合,真正形成了控制方式靈活,保護(hù)齊全,可靠性高的優(yōu)勢。與模塊結(jié)合開發(fā)了智能模塊。廣泛應(yīng)用于不同行業(yè)各種領(lǐng)。在散熱器方面公司成功開發(fā)了,通過努力已進(jìn)入了國內(nèi)的輸變電行業(yè)、機(jī)車行業(yè)所需的高端市場。我公司秉承快速反應(yīng)、持續(xù)改進(jìn)的工作作風(fēng),融入世界的發(fā)展戰(zhàn)略,致力于提高品牌知名度的發(fā)展目標(biāo),建成國際前列、國內(nèi)...
晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過程中,晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載相連,構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,形成晶閘管模塊的控制電路。 從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程: 晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。 當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽極電壓時(shí),為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅,承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此,當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí),兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會(huì)形成較強(qiáng)的...
3)換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的,所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓。換相過電壓之后,出現(xiàn)換相振蕩過電壓,它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓,其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高,換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因,可以采取不同的方法,如減少過電壓源,并使過電壓幅值衰減;過電壓能量上升的速率,延緩已產(chǎn)生能量的消散速度,增加其消散的途徑;采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。最常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常稱之為吸收回路或緩沖電路。(4)阻容吸收回路通常過電壓均具有...
電焊機(jī)選型技巧華晶整流器一、概述:電焊機(jī)在進(jìn)行各種金屬焊接時(shí),根據(jù)焊接工藝的不同,對焊接時(shí)電弧的電壓和電流有不同的要求,因此需要各種不同特性的交流或直流電源。例如,在點(diǎn)、凸、峰焊、電阻焊時(shí)需要調(diào)節(jié)焊接隔離變壓器原邊的電壓大?。ㄏ嗫卣{(diào)壓或改變通過的周波數(shù)量),屬于晶閘管應(yīng)用于交流調(diào)壓;在各種氬弧焊、CO2氣體保護(hù)焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應(yīng)用時(shí),反并聯(lián)的晶閘管串接在主回路中,直流調(diào)壓應(yīng)用時(shí),晶閘管可以組成單、三相全控或半控或雙反星型電路。改變晶閘管的導(dǎo)通角或控制晶閘管的開關(guān)時(shí)間即可達(dá)到調(diào)節(jié)焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來,CO2氣體保護(hù)焊機(jī)發(fā)展比較迅速,據(jù)報(bào)道,發(fā)達(dá)國...
電力半導(dǎo)體器件有:全系列功率模塊(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK),軟恢復(fù)快速整流管(FRD),旋轉(zhuǎn)整流管(ZX),大功率組合整流元件,普通晶閘管(KP),快速晶閘管(KK),雙向晶閘管(KS),逆導(dǎo)晶閘管(KN),可關(guān)斷晶閘管(GTO),電力晶體管(GTR)發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵(lì)磁整流組件,各種功率單元。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源,充電電源,電機(jī)調(diào)速,感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件,實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)軋機(jī)原器件的國產(chǎn)化;6K、6G、8K、8G電力機(jī)車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化,使用壽命超過...
)=174A-232A顯然,通過以上的計(jì)算對于采用雙反星型并聯(lián)電路的ZX5-630;NBK-630;WSM-630焊機(jī)應(yīng)選擇MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模塊。比較好選MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模塊.當(dāng)然,焊機(jī)可靠長期正常工作除了與模塊正確選型有關(guān)外,與以下因素還有一定的關(guān)系:2焊機(jī)暫載率即額定負(fù)荷工作持續(xù)率(FS):根據(jù)焊機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)此類焊機(jī)暫載率一般為:35%;60%;。其定義如下:暫載率FS=負(fù)載滿負(fù)荷持續(xù)運(yùn)行時(shí)間(t)/[負(fù)載滿負(fù)荷持續(xù)運(yùn)行時(shí)間+休止時(shí)間]x=t/Tx上式中T為焊機(jī)的...
750V通態(tài)平均電流IT(AV):5A比較大通態(tài)電壓VT:3V(IT=30A)比較大反向?qū)妷篤TR:<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時(shí)間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞。測試內(nèi)容主要分三項(xiàng):1.檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔,黑表筆接K極,紅表筆接A極(參見圖3(a)),電阻值應(yīng)為5~10Ω。若阻值為零,證明內(nèi)部二極管短路;電阻為無窮大,說明二極管開路。2.測量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V(BO)按照(b)圖接好電路,再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表,使RCT正向擊穿,由直...
晶閘管模塊電流規(guī)格的選取 1、根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及負(fù)載額定電流進(jìn)行選取 (1)電阻負(fù)載的較大電流應(yīng)是負(fù)載額定電流的2倍。 (2)感性負(fù)載的較大電流應(yīng)為額定負(fù)載電流的3倍。 (3)負(fù)載電流變化較大時(shí),電流倍數(shù)適當(dāng)增大。 (4)在運(yùn)行過程中,負(fù)載的實(shí)際工作電流不應(yīng)超過模塊的較大電流。 2、散熱器風(fēng)機(jī)的選用 模塊正常工作時(shí)必須配備散熱器和風(fēng)機(jī),推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)。如果用戶是自己提供的,則使用以下原則來選擇: (1)模塊正常工作時(shí),必須能保證冷卻底板溫度不超過75℃; (2)當(dāng)模塊負(fù)載較輕時(shí),可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻; (3...
VDRM)的計(jì)算:由公式:Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM;VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT(AV)的計(jì)算:由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式:Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT(AV)=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍,但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng):l電力半導(dǎo)體模...
晶閘管模塊 晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線簡單、互換性好、維護(hù)安裝方便等優(yōu)點(diǎn),自誕生以來就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞,并得到了極大的發(fā)展。 晶閘管模塊一般對錯(cuò)正弦電流有疑問,存在導(dǎo)通角,負(fù)載電流具有一定的波動(dòng)和不穩(wěn)定因素,晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差,因此在選擇模塊的電流標(biāo)準(zhǔn)時(shí)一定要留出一定的余量。 模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過載能力。溫度越低,模塊輸出電流越大。因此,在運(yùn)行中必須配備散熱器和風(fēng)扇。建議選擇具有過熱維護(hù)功能的商品,有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 正高電氣為消費(fèi)者帶來更高品質(zhì)的生活空間。濟(jì)南單相交流調(diào)壓...
特點(diǎn):1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝3、全壓接結(jié)構(gòu),優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4、350A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,400A以上模塊既可選用風(fēng)冷,也可選用水冷5、安裝簡單,使用維修方便典型應(yīng)用:1、交直流電機(jī)控制2、各種整流電源3、工業(yè)加熱控制4、調(diào)光5、無觸點(diǎn)開關(guān)6、電機(jī)軟起動(dòng)7、靜止無功補(bǔ)償8、電焊機(jī)9、變頻器10、UPS電源11、電池充放電三相整流橋模塊功率半導(dǎo)體模塊可控硅博飛宏大北京博飛宏大電子科技有限公司,廠家直銷,質(zhì)量,價(jià)格有保證!如果您需要相關(guān)型號(hào)資料,電壓電流,封裝尺寸大小,可以隨時(shí)給您發(fā)送該產(chǎn)品的PDF文檔,供您參考!如果您訂購量大,并且有長期合作意向,可免費(fèi)先...
VDRM)的計(jì)算:由公式:Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM;VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT(AV)的計(jì)算:由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式:Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT(AV)=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍,但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng):l電力半導(dǎo)體模...
六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,當(dāng)通過晶閘管的電流為額定電流時(shí),其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值,通常為。(七)晶閘管門極觸發(fā)電壓VGT門極觸發(fā)VGT,是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的最小門極直流電壓,一般為。(八)晶閘管門極觸發(fā)電流IGT門極觸發(fā)電流IGT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的最小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上...
晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此,兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí),就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的...
漏電流:指加一半標(biāo)稱直流電壓時(shí)測得的流過壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大,殘壓低,過電壓能力強(qiáng);平時(shí)漏電流小,放電后不會(huì)有續(xù)流,元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多,便于用戶選擇;伏安特性是對稱的,可用于交、直流或正負(fù)浪涌;因此用途較廣。2、過電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小,特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時(shí),熱量來不及散發(fā),使得結(jié)溫迅速升高,最終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的,例如,變流裝置本身晶閘管損壞,觸發(fā)電路發(fā)生故障,控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,以及交流電源電壓過高、過低或缺相,負(fù)載過載或...
產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖3,當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時(shí),式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時(shí),流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式(1—1)中,在晶閘管導(dǎo)通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻...
以提高測試電壓和測試電流,使GTO可靠地導(dǎo)通。(2)要準(zhǔn)確測量GTO的關(guān)斷增益βoff,必須有專用測試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測。由于測試條件不同,測量結(jié)果僅供參考,或作為相對比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu),使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如,逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間僅幾微秒,工作頻率達(dá)幾十千赫,優(yōu)于快速晶閘管(FSCR)。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中,一只...