致晟光電將熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)與微光顯微鏡 (EMMI) 集成的設(shè)備,在維護成本控制上展現(xiàn)出優(yōu)勢。對于分開的兩臺設(shè)備,企業(yè)需配備專門人員分別學習兩套系統(tǒng)的維護知識,培訓內(nèi)容涵蓋不同的機械結(jié)構(gòu)、光學原理、軟件操作,還包括各自的故障診斷邏輯與校準流程,往往需要數(shù)月的系統(tǒng)培訓才能確保人員熟練操作,期間產(chǎn)生的培訓費用、時間成本居高不下。而使用一套集成設(shè)備只需一套維護體系,維護人員只需掌握一套系統(tǒng)的維護邏輯與操作規(guī)范,無需在兩套差異化的設(shè)備間切換學習,培訓周期可縮短近一半,大幅降低了培訓方面的人力與資金投入。
國外微光顯微鏡價格高昂,常達上千萬元,我司國產(chǎn)設(shè)備工藝完備,技術(shù)成熟,平替性價比高。檢測用微光顯微鏡品牌排行
致晟光電始終以客戶需求為重心,兼顧貨源保障方面。目前,我們有現(xiàn)貨儲備,設(shè)備及相關(guān)配件一應俱全,能夠快速響應不同行業(yè)、不同規(guī)模客戶的采購需求。無論是緊急補購的小型訂單,還是批量采購的大型項目,都能憑借充足的貨源實現(xiàn)高效交付,讓您無需為設(shè)備短缺而擔憂,確保生產(chǎn)計劃或項目推進不受影響。
為了讓客戶對設(shè)備品質(zhì)有更直觀的了解,我們大力支持現(xiàn)場驗貨。您可以親臨我們的倉庫或展示區(qū),近距離觀察設(shè)備的外觀細節(jié),親身操作查驗設(shè)備的運行性能、精度等關(guān)鍵指標。每一臺設(shè)備都經(jīng)過嚴格的出廠檢測,我們敢于將品質(zhì)擺在您眼前,讓您在采購前就能對設(shè)備的實際狀況了然于胸,消除后顧之憂。 低溫熱微光顯微鏡工作原理其低噪聲電纜連接設(shè)計,減少信號傳輸過程中的損耗,確保微弱光子信號完整傳遞至探測器。
定位短路故障點短路是造成芯片失效的關(guān)鍵誘因之一。
當芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時,短路區(qū)域會形成異常電流通路,引發(fā)局部溫度驟升,并伴隨特定波長的光發(fā)射現(xiàn)象。EMMI(微光顯微鏡)憑借其超高靈敏度,能夠捕捉這些由短路產(chǎn)生的微弱光信號,再通過對光信號的強度分布、空間位置等特征進行綜合分析,可實現(xiàn)對短路故障點的精確定位。
以一款高性能微處理器芯片為例,其在測試中出現(xiàn)不明原因的功耗激增問題,技術(shù)人員初步判斷為內(nèi)部電路存在短路隱患。通過EMMI對芯片進行全域掃描檢測,在極短時間內(nèi)便在芯片的某一特定功能模塊區(qū)域發(fā)現(xiàn)了光發(fā)射信號。結(jié)合該芯片的電路設(shè)計圖紙和版圖信息進行深入分析,終鎖定故障點為兩條相鄰的鋁金屬布線之間因絕緣層破損而發(fā)生的短路。這一定位為后續(xù)的故障修復和工藝改進提供了直接依據(jù)。
光束誘導電阻變化(OBIRCH)功能與微光顯微鏡(EMMI)技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng),合稱為光發(fā)射顯微鏡(PEM,PhotoEmissionMicroscope)。
二者在原理與應用上形成巧妙互補,能夠協(xié)同應對集成電路中絕大多數(shù)失效模式,大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨特優(yōu)勢在于,即便失效點被金屬層覆蓋形成“熱點”,其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實現(xiàn)精細檢測——這恰好彌補了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。
但歐姆接觸和部分金屬互聯(lián)短路時,產(chǎn)生的光子十分微弱,難以被微光顯微鏡偵測到,借助近紅外光進行檢測。。
微光顯微鏡無法檢測不產(chǎn)生光子的失效(如歐姆接觸、金屬短路),且易受強光環(huán)境干擾;熱紅外顯微鏡則難以識別無明顯溫度變化的失效(如輕微漏電但功耗極低的缺陷),且溫度信號可能受環(huán)境熱傳導影響。
實際分析中,二者常結(jié)合使用,通過 “光 - 熱” 信號交叉驗證,提升失效定位的準確性。致晟光電在技術(shù)創(chuàng)新的征程中,實現(xiàn)了一項突破性成果 —— 將熱紅外顯微鏡與微光顯微鏡集可以集成于一臺設(shè)備,只需一次采購,便可以節(jié)省了重復的硬件投入。 通過調(diào)節(jié)探測靈敏度,它能適配不同漏電流大小的檢測需求,靈活應對多樣的檢測場景。制冷微光顯微鏡方案設(shè)計
針對氮化鎵等寬禁帶半導體,它能適應其寬波長探測需求,助力寬禁帶器件的研發(fā)與應用。檢測用微光顯微鏡品牌排行
企業(yè)用戶何如去采購適合自己的設(shè)備?
功能側(cè)重的差異,讓它們在芯片檢測中各司其職。微光顯微鏡的 “專長” 是識別電致發(fā)光缺陷,對于邏輯芯片、存儲芯片等高密度集成電路中常見的 PN 結(jié)漏電、柵氧擊穿、互連缺陷等細微電性能問題,它能提供的位置信息,是芯片失效分析中定位 “電故障” 的工具。
例如,在 7nm 以下先進制程芯片的檢測中,其高靈敏度可捕捉到單個晶體管異常產(chǎn)生的微弱信號,為工藝優(yōu)化提供關(guān)鍵依據(jù)。
熱紅外顯微鏡則更關(guān)注 “熱失控” 風險,在功率半導體、IGBT 等大功率器件的檢測中表現(xiàn)突出。這類芯片工作時功耗較高,散熱性能直接影響可靠性,短路、散熱通道堵塞等問題會導致局部溫度驟升,熱紅外顯微鏡能快速生成熱分布圖譜,直觀呈現(xiàn)熱點位置與溫度梯度,幫助工程師判斷散熱設(shè)計缺陷或電路短路點。在汽車電子等對安全性要求極高的領(lǐng)域,這種對熱異常的敏銳捕捉,是預防芯片失效引發(fā)安全事故的重要保障。
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