作為東莞松山湖的企業(yè),吉田半導(dǎo)體深耕光刻膠領(lǐng)域 23 年,成功研發(fā)出 YK-300 半導(dǎo)體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,良率達(dá) 98% 以上,已通過中芯國際等晶圓廠驗證;JT-2000 突破耐高溫極限,在 250℃復(fù)雜環(huán)境下仍保持圖形穩(wěn)定性,適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進(jìn)口原材料與全自動化生產(chǎn)工藝,產(chǎn)品通過 ISO9001 認(rèn)證及歐盟 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),遠(yuǎn)銷全球并與跨國企業(yè)建立長期合作,加速國產(chǎn)替代進(jìn)程。感光膠的工藝和應(yīng)用。內(nèi)蒙古厚膜光刻膠
作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域二十余年的綜合性企業(yè),廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終將環(huán)保理念融入產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)全流程。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群,依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢,持續(xù)推出符合國際環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體材料解決方案。
公司在錫膏、焊片等產(chǎn)品中采用無鹵無鉛配方,嚴(yán)格遵循 RoHS 指令要求,避免使用有害物質(zhì)。以錫膏為例,其零鹵素配方通過第三方機(jī)構(gòu)認(rèn)證,不僅減少了電子產(chǎn)品廢棄后的環(huán)境負(fù)擔(dān),還提升了焊接可靠性,適用于新能源汽車、精密電子設(shè)備等領(lǐng)域。同時,納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產(chǎn)過程中,公司通過優(yōu)化原料配比,減少揮發(fā)性有機(jī)物(VOCs)排放,確保產(chǎn)品符合歐盟 REACH 法規(guī)。
山東阻焊光刻膠光刻膠的儲存條件嚴(yán)苛,需在低溫、避光環(huán)境下保存以維持穩(wěn)定性。
作為中國半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的企業(yè),吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終以自研自產(chǎn)為戰(zhàn)略,通過 23 年技術(shù)沉淀與持續(xù)創(chuàng)新,成功突破多項 “卡脖子” 技術(shù),構(gòu)建起從原材料到成品的全鏈條國產(chǎn)化能力。其自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品已覆蓋芯片制造、顯示面板、精密電子等領(lǐng)域,為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供關(guān)鍵支撐。
吉田半導(dǎo)體依托自主研發(fā)中心與產(chǎn)學(xué)研合作,在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項技術(shù)突破:
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YK-300 正性光刻膠:分辨率達(dá) 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于 45nm 及以上制程,良率達(dá) 98% 以上,成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%,已通過中芯國際量產(chǎn)驗證。
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SU-3 負(fù)性光刻膠:支持 3μm 厚膜加工,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,成功應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片封裝,良率提升至 98.5%。
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JT-2000 納米壓印光刻膠:突破 250℃耐高溫極限,圖形保真度 > 95%,性能對標(biāo)德國 MicroResist 系列,已應(yīng)用于國產(chǎn) EUV 光刻機(jī)前道工藝。
? 化學(xué)反應(yīng):
? 正性膠:曝光后光敏劑(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在堿性顯影液中溶解;
? 負(fù)性膠:曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
5. 顯影(Development)
? 顯影液:
? 正性膠:堿性水溶液(如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH),溶解曝光區(qū)域;
? 負(fù)性膠:有機(jī)溶劑(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光區(qū)域。
? 方法:噴淋顯影(PCB)或沉浸式顯影(半導(dǎo)體),時間30秒-2分鐘,需控制顯影液濃度和溫度。
6. 后烘(Post-Bake)
? 目的:固化膠膜,提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。
? 條件:
? 溫度:100-150℃(半導(dǎo)體用正性膠可能更高,如180℃);
? 時間:15-60分鐘(厚膠或高耐蝕需求時延長)。
7. 蝕刻/離子注入(后續(xù)工藝)
? 蝕刻:以膠膜為掩膜,通過濕法(酸堿溶液)或干法(等離子體)刻蝕基板材料(如硅、金屬、玻璃);
? 離子注入:膠膜保護(hù)未曝光區(qū)域,使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域(半導(dǎo)體摻雜工藝)。
8. 去膠(Strip)
? 方法:
? 濕法去膠:強(qiáng)氧化劑(如硫酸+雙氧水)或有機(jī)溶劑(如N-甲基吡咯烷酮NMP);
? 干法去膠:氧等離子體灰化(半導(dǎo)體領(lǐng)域,無殘留)。
在集成電路制造中,正性光刻膠曝光后顯影時被溶解,而負(fù)性光刻膠則保留曝光區(qū)域。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司的產(chǎn)品體系豐富且功能強(qiáng)大。
在光刻膠領(lǐng)域,芯片光刻膠為芯片制造中的精細(xì)光刻環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵支持,確保芯片線路的精細(xì)刻畫;
納米壓印光刻膠適用于微納加工,助力制造超精細(xì)的微納結(jié)構(gòu);
LCD 光刻膠則滿足液晶顯示面板生產(chǎn)過程中的光刻需求,保障面板成像質(zhì)量。
在電子焊接方面,半導(dǎo)體錫膏與焊片性能,能實現(xiàn)可靠的電氣連接,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備組裝。
靶材產(chǎn)品在材料濺射沉積工藝中發(fā)揮關(guān)鍵作用,通過精細(xì)控制材料沉積,為半導(dǎo)體器件制造提供高質(zhì)量的薄膜材料。憑借出色品質(zhì),遠(yuǎn)銷全球,深受眾多世界 500 強(qiáng)企業(yè)和電子加工企業(yè)青睞 。
高分辨率光刻膠需滿足亞微米甚至納米級線寬的圖形化需求。杭州油墨光刻膠國產(chǎn)廠家
化學(xué)放大光刻膠(CAR)采用光酸催化劑,可顯著提高深紫外(DUV)曝光效率。內(nèi)蒙古厚膜光刻膠
綠色制造與循環(huán)經(jīng)濟(jì)
公司采用水性光刻膠技術(shù),溶劑揮發(fā)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低60%,符合歐盟REACH法規(guī)和國內(nèi)環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。同時,其光刻膠廢液回收項目已投產(chǎn),通過膜分離+精餾技術(shù)實現(xiàn)90%溶劑循環(huán)利用,年減排VOCs(揮發(fā)性有機(jī)物)超100噸。
低碳供應(yīng)鏈管理
吉田半導(dǎo)體與上游供應(yīng)商合作開發(fā)生物基樹脂,部分產(chǎn)品采用可再生原料(如植物基丙烯酸酯),碳排放強(qiáng)度較傳統(tǒng)工藝降低30%。這一舉措使其在光伏電池和新能源汽車領(lǐng)域獲得客戶青睞,相關(guān)訂單占比從2022年的15%提升至2023年的25%。
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