另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒(méi)有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)脈沖的激勵(lì)下要產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩，因此必須串聯(lián)一個(gè)電阻加以迅速衰減。2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗電容電感都是無(wú)功元件，如果沒(méi)有柵極電阻，驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。心理或情感意義：可以指推動(dòng)一個(gè)人采取行動(dòng)的內(nèi)在動(dòng)力或外部激勵(lì)。奉賢區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路銷售廠

有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端，這就要在原來(lái)的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅(qū)動(dòng)引線的情況下，偶然加主電高壓，通過(guò)米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對(duì)于大功率IGBT，選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見(jiàn)表1。柵極正電壓 的變化對(duì)IGBT的開(kāi)通特性、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門極負(fù)偏壓則對(duì)關(guān)斷特性的影響比較大。在門極電路的設(shè)計(jì)中，還要注意開(kāi)通特性、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問(wèn)題(見(jiàn)表1)。奉賢區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路銷售廠電機(jī)控制：驅(qū)動(dòng)電路可以用來(lái)控制各種類型的電機(jī)，例如步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī)、交流電機(jī)等。

比如安裝打印機(jī)這類的硬件外設(shè)，并不是把連接線接上就算完成，如果你這時(shí)候開(kāi)始使用，系統(tǒng)會(huì)告訴你，找不到驅(qū)動(dòng)程序，參照說(shuō)明書也未必就能順利安裝。其實(shí)在安裝方面還是有一定的慣例與通則可尋的，這些都可以幫你做到無(wú)障礙安裝。在Windows系統(tǒng)中，需要安裝主板、光驅(qū)、顯卡、聲卡等一套完整的驅(qū)動(dòng)程序。如果你需要外接別的硬件設(shè)備，則還要安裝相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)程序，如：外接游戲硬件要安裝手柄、方向盤、搖桿、跳舞毯等的驅(qū)動(dòng)程序，外接打印機(jī)要安裝打印機(jī)驅(qū)動(dòng)程序，上網(wǎng)或接入局域網(wǎng)要安裝網(wǎng)卡、Modem甚至ISDN、ADSL的驅(qū)動(dòng)程序。 [1]

光耦的特點(diǎn)光耦基本電路1. 參數(shù)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單2. 輸出端需要隔離驅(qū)動(dòng)電源3. 驅(qū)動(dòng)功率有限磁耦合-變壓器隔離受高頻調(diào)制的單向脈沖變壓器隔離電路磁耦合：用于傳送較低頻信號(hào)時(shí)—調(diào)制/解調(diào)磁耦合的特點(diǎn):1.既可傳遞信號(hào)又可傳遞功率2.頻率越高,體積越小-適合高頻應(yīng)用比較好驅(qū)動(dòng)特性和驅(qū)動(dòng)電流波形比較好驅(qū)動(dòng)1.開(kāi)通時(shí)： 基極電流有快速上升沿和過(guò)沖—加速開(kāi)通，減小開(kāi)通損耗；2.導(dǎo)通期間：足夠的基極電流，使晶體管任意負(fù)載飽和導(dǎo)通—低導(dǎo)通損耗；關(guān)斷前調(diào)整基極電流，使晶體管處于臨界飽和導(dǎo)通—減小 ， 關(guān)斷快;直接接地驅(qū)動(dòng)：功率器件的接地端電位恒定，常用的有推挽驅(qū)動(dòng)以及圖騰柱驅(qū)動(dòng)等。

3、調(diào)節(jié)功率開(kāi)關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小，開(kāi)關(guān)器件通斷快，開(kāi)關(guān)損耗??；反之則慢，同時(shí)開(kāi)關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過(guò)快將使開(kāi)關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高，從而產(chǎn)生較大的干擾，嚴(yán)重的將使整個(gè)裝置無(wú)法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下，柵極電阻的選取會(huì)有很大的差異。初試可如下選?。翰煌放频腎GBT模塊可能有各自的特定要求，可在其參數(shù)手冊(cè)的推薦值附近調(diào)試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的功率決定，一般來(lái)說(shuō)柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動(dòng)功率的2倍。浮動(dòng)接地驅(qū)動(dòng)：功率器件接地端電位會(huì)隨電路狀態(tài)變化而浮動(dòng)，典型的為自舉驅(qū)動(dòng)電路。黃浦區(qū)制造驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

傳感器驅(qū)動(dòng)：驅(qū)動(dòng)電路可以將傳感器檢測(cè)到的物理量轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，例如溫度傳感器、壓力傳感器等。奉賢區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路銷售廠

在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。奉賢區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路銷售廠

祥盛芯城（上海）半導(dǎo)體有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開(kāi)創(chuàng)新天地，繪畫新藍(lán)圖，在上海市等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶不容易，失去每一個(gè)用戶很簡(jiǎn)單”的理念，市場(chǎng)是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，齊心協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開(kāi)創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來(lái)祥盛芯城供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái)，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī)，也不足以驕傲，過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢(mèng)想！