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在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，電子設(shè)備的性能與可靠性至關(guān)重要。從微小的芯片到復(fù)雜的電路板，任何一個(gè)環(huán)節(jié)出現(xiàn)故障都可能導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的崩潰。在這樣的背景下，蘇州致晟光電科技有限公司自主研發(fā)的實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)（RTTLIT）應(yīng)運(yùn)而生，猶如一顆璀璨的明星，為電子行業(yè)的失效分析領(lǐng)域帶來(lái)了全新的解決方案。 致晟光電成立于 2024 年，總部位于江蘇蘇州，公司秉持著 “需求為本、科技創(chuàng)新” 的理念，專注于電子產(chǎn)品失效分析儀器設(shè)備的研發(fā)與制造。 電激勵(lì)與鎖相熱成像系統(tǒng)，電子檢測(cè)黃金組合。半導(dǎo)體失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)P20電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)的柔性電子檢測(cè)中展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景，為柔...

鎖相熱成像系統(tǒng)的維護(hù)保養(yǎng)是保證其長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。系統(tǒng)的維護(hù)包括日常的清潔、部件的檢查和更換等。對(duì)于紅外熱像儀的鏡頭，需要定期用專門的清潔劑和鏡頭紙進(jìn)行清潔，避免灰塵和污漬影響成像質(zhì)量。鎖相放大器、激光器等關(guān)鍵部件要定期進(jìn)行性能檢查，確保其參數(shù)在正常范圍內(nèi)。如果發(fā)現(xiàn)部件出現(xiàn)老化或故障，要及時(shí)進(jìn)行更換，以避免影響系統(tǒng)的檢測(cè)精度。此外，系統(tǒng)的冷卻系統(tǒng)也需要定期維護(hù)，確保其能夠正常工作，防止因設(shè)備過(guò)熱而影響性能。做好維護(hù)保養(yǎng)工作，能夠延長(zhǎng)鎖相熱成像系統(tǒng)的使用壽命，降低設(shè)備故障的發(fā)生率，保證檢測(cè)工作的順利進(jìn)行。鎖相熱成像系統(tǒng)縮短電激勵(lì)檢測(cè)的響應(yīng)時(shí)間。高分辨率鎖相紅外熱成像系統(tǒng)emmi 在當(dāng)今科技飛...

電子產(chǎn)業(yè)的功率器件檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，為功率器件的安全可靠運(yùn)行提供了有力保障。功率器件如 IGBT、MOSFET 等，在工作過(guò)程中需要承受大電流、高電壓，功耗較大，容易因內(nèi)部缺陷而產(chǎn)生過(guò)熱現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致器件損壞，甚至引發(fā)整個(gè)電子系統(tǒng)的故障。通過(guò)施加接近實(shí)際工況的電激勵(lì)，鎖相熱成像系統(tǒng)能夠模擬功率器件的真實(shí)工作狀態(tài)，實(shí)時(shí)檢測(cè)器件表面的溫度分布。系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)芯片內(nèi)部的熱斑、柵極缺陷、導(dǎo)通電阻異常等問(wèn)題，這些問(wèn)題往往是功率器件失效的前兆。檢測(cè)獲得的溫度分布數(shù)據(jù)還能為功率器件的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)提供重要參考，幫助工程師優(yōu)化器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝，提高產(chǎn)品的可靠性。例如，在新能...

與傳統(tǒng)的熱成像技術(shù)相比，鎖相熱成像系統(tǒng)擁有諸多不可替代的優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng)熱成像技術(shù)往往只能檢測(cè)到物體表面的溫度分布，對(duì)于物體內(nèi)部不同深度的缺陷難以有效區(qū)分，而鎖相熱成像系統(tǒng)通過(guò)對(duì)相位信息的分析，能夠區(qū)分不同深度的缺陷，實(shí)現(xiàn)了分層檢測(cè)的突破，完美解決了傳統(tǒng)技術(shù)在判斷缺陷深度上的難題。不僅如此，它的抗干擾能力也極為出色，在強(qiáng)光照射、強(qiáng)烈電磁干擾等復(fù)雜且惡劣的環(huán)境下，依然能夠保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)，為工業(yè)質(zhì)檢工作提供了堅(jiān)實(shí)可靠的技術(shù)保障，確保了檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性和一致性，這在對(duì)檢測(cè)精度要求極高的工業(yè)生產(chǎn)中尤為重要。鎖相檢測(cè)模塊功能是通過(guò)與電激勵(lì)信號(hào)的同步鎖相處理，從熱像序列中提取與激勵(lì)頻率一致的溫度波動(dòng)分量。鎖...

鎖相熱成像系統(tǒng)的電激勵(lì)方式在電子產(chǎn)業(yè)的 LED 芯片檢測(cè)中扮演著不可或缺的角色，為 LED 產(chǎn)品的質(zhì)量提升提供了重要支持。LED 芯片是 pn 結(jié)，pn 結(jié)的質(zhì)量直接決定了 LED 的發(fā)光效率、壽命和可靠性。如果 pn 結(jié)存在缺陷，如晶格失配、雜質(zhì)污染等，會(huì)導(dǎo)致芯片的電光轉(zhuǎn)換效率下降，發(fā)熱增加，嚴(yán)重影響 LED 的性能。通過(guò)對(duì) LED 芯片施加電激勵(lì)，使芯片處于工作狀態(tài)，缺陷處的電流分布和熱分布會(huì)出現(xiàn)異常，導(dǎo)致局部溫度升高。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠精確檢測(cè)到這些溫度差異，并通過(guò)圖像處理技術(shù)，清晰顯示出 pn 結(jié)缺陷的位置和形態(tài)。 制造商可以根據(jù)檢測(cè)結(jié)果，篩選出良好的 LED 芯片，剔除不合...

通過(guò)大量海量熱圖像數(shù)據(jù)，催生出更智能的數(shù)據(jù)分析手段。借助深度學(xué)習(xí)算法，構(gòu)建熱圖像識(shí)別模型，可快速準(zhǔn)確地從復(fù)雜熱分布中識(shí)別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中，模型能自動(dòng)比對(duì)正常與異常芯片的熱圖像，定位短路、斷路等故障點(diǎn)，有效縮短分析時(shí)間。在數(shù)據(jù)處理軟件中集成熱傳導(dǎo)數(shù)值模擬功能，結(jié)合實(shí)驗(yàn)測(cè)得的熱數(shù)據(jù)，反演材料內(nèi)部熱導(dǎo)率、比熱容等參數(shù)，從熱傳導(dǎo)理論層面深入解析熱現(xiàn)象，為材料熱性能研究與器件熱設(shè)計(jì)提供量化指導(dǎo)。鎖相熱成像系統(tǒng)結(jié)合電激勵(lì)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)電子元件工作狀態(tài)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在的過(guò)熱或接觸不良問(wèn)題。科研用鎖相紅外熱成像系統(tǒng)廠家電話這款一體化設(shè)備的核心競(jìng)爭(zhēng)力，在于打破了兩種技術(shù)的應(yīng)用邊界...

先進(jìn)的封裝應(yīng)用、復(fù)雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長(zhǎng)給故障定位和分析帶來(lái)了前所未有的挑戰(zhàn)。有缺陷或性能不佳的半導(dǎo)體器件通常表現(xiàn)出局部功率損耗的異常分布，導(dǎo)致局部溫度升高。RTTLIT系統(tǒng)利用鎖相紅外熱成像進(jìn)行半導(dǎo)體器件故障定位，可以準(zhǔn)確有效地定位這些目標(biāo)區(qū)域。LIT是一種動(dòng)態(tài)紅外熱成像形式，與穩(wěn)態(tài)熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導(dǎo)體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環(huán)境中進(jìn)行，無(wú)需光屏蔽箱。電激勵(lì)與鎖相熱成像系統(tǒng)，電子檢測(cè)黃金組合。廠家鎖相紅外熱成像系統(tǒng)功能鎖相熱成像系統(tǒng)的維...

在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，電子設(shè)備的性能與可靠性至關(guān)重要。從微小的芯片到復(fù)雜的電路板，任何一個(gè)環(huán)節(jié)出現(xiàn)故障都可能導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的崩潰。在這樣的背景下，蘇州致晟光電科技有限公司自主研發(fā)的實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)（RTTLIT）應(yīng)運(yùn)而生，猶如一顆璀璨的明星，為電子行業(yè)的失效分析領(lǐng)域帶來(lái)了全新的解決方案。 致晟光電成立于 2024 年，總部位于江蘇蘇州，公司秉持著 “需求為本、科技創(chuàng)新” 的理念，專注于電子產(chǎn)品失效分析儀器設(shè)備的研發(fā)與制造。 高靈敏度鎖相熱成像技術(shù)能夠檢測(cè)到極微小的熱信號(hào)，可檢測(cè)低至uA級(jí)漏電流或微短路缺陷。Thermo鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用途 鎖相熱成像系統(tǒng)的電激勵(lì)方式在電子...

致晟光電推出的多功能顯微系統(tǒng)，創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)熱紅外與微光顯微鏡的集成設(shè)計(jì)，搭配靈活可選的制冷/非制冷模式，可根據(jù)您的實(shí)際需求定制專屬配置方案。這套設(shè)備的優(yōu)勢(shì)在于一體化集成能力：只需一套系統(tǒng)，即可同時(shí)搭載可見(jiàn)光顯微鏡、熱紅外顯微鏡及InGaAs微光顯微鏡三大功能模塊。這種設(shè)計(jì)省去了多設(shè)備切換的繁瑣，更通過(guò)硬件協(xié)同優(yōu)化提升了整體性能，讓您在同一平臺(tái)上輕松完成多波段觀測(cè)任務(wù)。相比單獨(dú)購(gòu)置多套設(shè)備，該集成系統(tǒng)能大幅降低采購(gòu)與維護(hù)成本，在保證檢測(cè)精度的同時(shí)，為實(shí)驗(yàn)室節(jié)省空間與預(yù)算，真正實(shí)現(xiàn)性能與性價(jià)比的雙重提升。電激勵(lì)為鎖相熱成像系統(tǒng)提供穩(wěn)定的熱激勵(lì)源。長(zhǎng)波鎖相紅外熱成像系統(tǒng)性價(jià)比當(dāng)電子設(shè)備中的某個(gè)元件發(fā)生故...

鎖相熱成像系統(tǒng)借助電激勵(lì)在電子產(chǎn)業(yè)的微型電子元件檢測(cè)中展現(xiàn)出極高的靈敏度，滿足了電子產(chǎn)業(yè)向微型化、高精度發(fā)展的需求。隨著電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，電子元件正朝著微型化方向快速發(fā)展，如微型傳感器、微型繼電器等，其尺寸通常在毫米甚至微米級(jí)別，缺陷也更加細(xì)微，傳統(tǒng)的檢測(cè)方法難以應(yīng)對(duì)。電激勵(lì)能夠在微型元件內(nèi)部產(chǎn)生微小但可探測(cè)的溫度變化，即使是納米級(jí)的缺陷也能引起局部溫度的細(xì)微波動(dòng)。鎖相熱成像系統(tǒng)結(jié)合先進(jìn)的鎖相技術(shù)，能夠從強(qiáng)大的背景噪聲中提取出與電激勵(lì)同頻的溫度信號(hào)，將微小的溫度變化放大并清晰顯示出來(lái)，從而檢測(cè)出微米級(jí)的缺陷。例如，在檢測(cè)微型加速度傳感器的敏感元件時(shí)，系統(tǒng)能夠發(fā)現(xiàn)因制造誤差導(dǎo)致的微小結(jié)構(gòu)變形，...

致晟光電在推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研一體化進(jìn)程中，積極開(kāi)展校企合作。公司依托南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院，專注開(kāi)發(fā)基于微弱光電信號(hào)分析的產(chǎn)品及應(yīng)用。雙方聯(lián)合攻克技術(shù)難題，不斷優(yōu)化實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)（RTTLIT），使該系統(tǒng)溫度靈敏度可達(dá)0.0001℃，功率檢測(cè)限低至1uW，部分功能及參數(shù)優(yōu)于進(jìn)口設(shè)備。此外，致晟光電還與其他高校建立合作關(guān)系，搭建起學(xué)業(yè)-就業(yè)貫通式人才孵化平臺(tái)。為學(xué)生提供涵蓋研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)實(shí)踐、項(xiàng)目管理全鏈條的育人平臺(tái)，輸送了大量實(shí)踐能力強(qiáng)的專業(yè)人才，為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新注入活力。通過(guò)建立科研成果產(chǎn)業(yè)孵化綠色通道，高校的前沿科研成果得以快速轉(zhuǎn)化為實(shí)際生產(chǎn)力，實(shí)現(xiàn)了高?？蒲匈Y源與企業(yè)市場(chǎng)轉(zhuǎn)化能力的優(yōu)...

鎖相熱成像系統(tǒng)的電激勵(lì)方式在電子產(chǎn)業(yè)的多層電路板檢測(cè)中優(yōu)勢(shì)明顯，為多層電路板的生產(chǎn)質(zhì)量控制提供了高效解決方案。多層電路板由多個(gè)導(dǎo)電層和絕緣層交替疊加而成，層間通過(guò)過(guò)孔實(shí)現(xiàn)電氣連接，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，在生產(chǎn)過(guò)程中容易出現(xiàn)層間短路、盲孔堵塞、絕緣層破損等缺陷。這些缺陷會(huì)導(dǎo)致電路板的電氣性能下降，甚至引發(fā)短路故障。電激勵(lì)能夠通過(guò)不同層的線路施加電流，使電流在各層之間流動(dòng)，缺陷處會(huì)因電流分布異常而產(chǎn)生溫度變化。鎖相熱成像系統(tǒng)可以通過(guò)檢測(cè)層間的溫度變化，精細(xì)定位缺陷的位置和類型。例如，檢測(cè)層間短路時(shí)，系統(tǒng)會(huì)發(fā)現(xiàn)短路點(diǎn)處的溫度明顯高于周圍區(qū)域；檢測(cè)盲孔堵塞時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)對(duì)應(yīng)位置的溫度分布異常。與傳統(tǒng)的 X 射線檢測(cè)相...

失效背景調(diào)查就像是為芯片失效分析開(kāi)啟“導(dǎo)航系統(tǒng)”，能幫助分析人員快速了解芯片的基本情況，為后續(xù)工作奠定基礎(chǔ)。收集芯片型號(hào)是首要任務(wù)，不同型號(hào)的芯片在結(jié)構(gòu)、功能和特性上存在差異，這是開(kāi)展分析的基礎(chǔ)信息。同時(shí)，了解芯片的應(yīng)用場(chǎng)景也不可或缺，是用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是航空航天等領(lǐng)域，不同的應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)芯片的性能要求不同，失效原因也可能大相徑庭。失效模式的收集同樣關(guān)鍵，短路、漏電、功能異常等不同的失效模式，指向的潛在問(wèn)題各不相同。比如短路可能是由于內(nèi)部線路故障，而漏電則可能與芯片的絕緣性能有關(guān)。失效比例的統(tǒng)計(jì)也有重要意義，如果同一批次芯片失效比例較高，可能暗示著設(shè)計(jì)缺陷或制程問(wèn)題；如果只是個(gè)別芯片失效...

在電子領(lǐng)域，所有器件都會(huì)在不同程度上產(chǎn)生熱量。器件散發(fā)一定熱量屬于正?，F(xiàn)象，但某些類型的缺陷會(huì)增加功耗，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)熱量上升。在失效分析中，這種額外的熱量能夠?yàn)槎ㄎ蝗毕荼旧硖峁┯杏镁€索。熱紅外顯微鏡可以借助內(nèi)置攝像系統(tǒng)來(lái)測(cè)量可見(jiàn)光或近紅外光的實(shí)用技術(shù)。該相機(jī)對(duì)波長(zhǎng)在3至10微米范圍內(nèi)的光子十分敏感，而這些波長(zhǎng)與熱量相對(duì)應(yīng)，因此相機(jī)獲取的圖像可轉(zhuǎn)化為被測(cè)器件的熱分布圖。通常，會(huì)先對(duì)斷電狀態(tài)下的樣品器件進(jìn)行熱成像，以此建立基準(zhǔn)線；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現(xiàn)了器件的功耗情況，可用于隔離失效問(wèn)題。許多不同的缺陷在通電時(shí)會(huì)因消耗額外電流而產(chǎn)生過(guò)多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保...

在產(chǎn)品全壽命周期中，失效分析以解決失效問(wèn)題、確定根本原因?yàn)槟繕?biāo)。通過(guò)對(duì)失效模式開(kāi)展綜合性試驗(yàn)分析，它能定位失效部位，厘清失效機(jī)理——無(wú)論是材料劣化、結(jié)構(gòu)缺陷還是工藝瑕疵引發(fā)的問(wèn)題，都能被系統(tǒng)拆解。在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提出針對(duì)性糾正措施，從源頭阻斷失效的重復(fù)發(fā)生。作為貫穿產(chǎn)品質(zhì)量控制全流程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，失效分析的價(jià)值體現(xiàn)在對(duì)全鏈條潛在風(fēng)險(xiǎn)的追溯與排查：在設(shè)計(jì)（含選型）階段，可通過(guò)模擬失效驗(yàn)證方案合理性；制造環(huán)節(jié)，能鎖定工藝偏差導(dǎo)致的批量隱患；使用過(guò)程中，可解析環(huán)境因素對(duì)性能衰減的影響；質(zhì)量管理層面，則為標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。電激勵(lì)頻率可調(diào)，適配鎖相熱成像系統(tǒng)多場(chǎng)景檢測(cè)。長(zhǎng)波鎖相紅外熱成像系統(tǒng)按需定制...

在產(chǎn)品全壽命周期中，失效分析以解決失效問(wèn)題、確定根本原因?yàn)槟繕?biāo)。通過(guò)對(duì)失效模式開(kāi)展綜合性試驗(yàn)分析，它能定位失效部位，厘清失效機(jī)理——無(wú)論是材料劣化、結(jié)構(gòu)缺陷還是工藝瑕疵引發(fā)的問(wèn)題，都能被系統(tǒng)拆解。在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提出針對(duì)性糾正措施，從源頭阻斷失效的重復(fù)發(fā)生。作為貫穿產(chǎn)品質(zhì)量控制全流程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，失效分析的價(jià)值體現(xiàn)在對(duì)全鏈條潛在風(fēng)險(xiǎn)的追溯與排查：在設(shè)計(jì)（含選型）階段，可通過(guò)模擬失效驗(yàn)證方案合理性；制造環(huán)節(jié)，能鎖定工藝偏差導(dǎo)致的批量隱患；使用過(guò)程中，可解析環(huán)境因素對(duì)性能衰減的影響；質(zhì)量管理層面，則為標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。系統(tǒng)的邏輯是通過(guò) “周期性激勵(lì) - 熱響應(yīng) - 鎖相提取 - 特征分析” 的...

性能參數(shù)的突破更凸顯技術(shù)實(shí)力。RTTLIT P20 的測(cè)溫靈敏度達(dá) 0.1mK，意味著能捕捉到 0.0001℃的溫度波動(dòng)，相當(dāng)于能檢測(cè)到低至 1μW 的功率變化 —— 這一水平足以識(shí)別芯片內(nèi)部柵極漏電等隱性缺陷；2μm 的顯微分辨率則讓成像精度達(dá)到微米級(jí)，可清晰呈現(xiàn)芯片引線鍵合處的微小熱異常。而 RTTLIT P10 雖采用非制冷型探測(cè)器，卻通過(guò)算法優(yōu)化將鎖相靈敏度提升至 0.001℃，在 PCB 板短路、IGBT 模塊局部過(guò)熱等檢測(cè)場(chǎng)景中，既能滿足精度需求，又具備更高的性價(jià)比。此外，設(shè)備的一體化設(shè)計(jì)將可見(jiàn)光、熱紅外、微光三大成像模塊集成，配合自動(dòng)化工作臺(tái)的精細(xì)控制，實(shí)現(xiàn)了 “一鍵切換檢測(cè)模式...

在電子產(chǎn)業(yè)中，電激勵(lì)與鎖相熱成像系統(tǒng)的結(jié)合為電子元件檢測(cè)帶來(lái)了前所未有的高效解決方案。電激勵(lì)的原理是向電子元件施加特定頻率的周期性電流，利用電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)產(chǎn)生的焦耳效應(yīng)，使元件內(nèi)部產(chǎn)生均勻且可控的熱量。當(dāng)元件存在短路、虛焊、內(nèi)部裂紋等缺陷時(shí)，缺陷區(qū)域的熱傳導(dǎo)特性會(huì)與正常區(qū)域產(chǎn)生明顯差異，進(jìn)而導(dǎo)致溫度分布出現(xiàn)異常。鎖相熱成像系統(tǒng)憑借其高靈敏度的紅外探測(cè)能力和先進(jìn)的鎖相處理技術(shù)，能夠捕捉這些細(xì)微的溫度變化，即使是微米級(jí)的缺陷也能被清晰識(shí)別。與傳統(tǒng)的探針檢測(cè)或破壞性檢測(cè)方法相比，這種非接觸式的檢測(cè)方式無(wú)需拆解元件，從根本上避免了對(duì)元件的損傷，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)大批量元件的快速檢測(cè)。例如，在手機(jī)芯片的批量質(zhì)...

鎖相熱成像系統(tǒng)在發(fā)展過(guò)程中也面臨著一些技術(shù)難點(diǎn)，其中如何優(yōu)化熱激勵(lì)方式與信號(hào)處理算法是問(wèn)題。熱激勵(lì)方式的合理性直接影響檢測(cè)的靈敏度和準(zhǔn)確性，不同的被測(cè)物體需要不同的激勵(lì)參數(shù)；而信號(hào)處理算法則決定了能否從復(fù)雜的信號(hào)中有效提取出有用信息。為此，研究人員不斷進(jìn)行探索和創(chuàng)新，通過(guò)改進(jìn)光源調(diào)制頻率，使其更適應(yīng)不同檢測(cè)場(chǎng)景，開(kāi)發(fā)多頻融合算法，提高信號(hào)處理的效率和精度等方式，持續(xù)提升系統(tǒng)的檢測(cè)速度與缺陷識(shí)別精度。未來(lái)，隨著新型材料的研發(fā)和傳感器技術(shù)的不斷進(jìn)步，鎖相熱成像系統(tǒng)的性能將進(jìn)一步提升，其應(yīng)用領(lǐng)域也將得到的拓展，為更多行業(yè)帶來(lái)技術(shù)革新。電激勵(lì)激發(fā)缺陷熱特征，鎖相熱成像系統(tǒng)識(shí)別。半導(dǎo)體鎖相紅外熱成像系統(tǒng)...

光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測(cè)系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ)，能夠協(xié)同應(yīng)對(duì)集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在于，即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”，其仍能通過(guò)光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測(cè)——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號(hào)捕捉受限的不足。系統(tǒng)的邏輯是通過(guò) “周期性激勵(lì) - 熱響應(yīng) - 鎖相提取 - 特征分析” 的流程，將內(nèi)部結(jié)構(gòu)差異轉(zhuǎn)化為熱圖像特征。缺陷定位鎖相紅外熱成像系統(tǒng)測(cè)試從技術(shù)原理...

在產(chǎn)品全壽命周期中，失效分析以解決失效問(wèn)題、確定根本原因?yàn)槟繕?biāo)。通過(guò)對(duì)失效模式開(kāi)展綜合性試驗(yàn)分析，它能定位失效部位，厘清失效機(jī)理——無(wú)論是材料劣化、結(jié)構(gòu)缺陷還是工藝瑕疵引發(fā)的問(wèn)題，都能被系統(tǒng)拆解。在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提出針對(duì)性糾正措施，從源頭阻斷失效的重復(fù)發(fā)生。作為貫穿產(chǎn)品質(zhì)量控制全流程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，失效分析的價(jià)值體現(xiàn)在對(duì)全鏈條潛在風(fēng)險(xiǎn)的追溯與排查：在設(shè)計(jì)（含選型）階段，可通過(guò)模擬失效驗(yàn)證方案合理性；制造環(huán)節(jié)，能鎖定工藝偏差導(dǎo)致的批量隱患；使用過(guò)程中，可解析環(huán)境因素對(duì)性能衰減的影響；質(zhì)量管理層面，則為標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。電激勵(lì)模塊是通過(guò)源表向被測(cè)物體施加周期性方波電信號(hào)，通過(guò)焦耳效應(yīng)使物體產(chǎn)生周...

光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測(cè)系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ)，能夠協(xié)同應(yīng)對(duì)集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在于，即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”，其仍能通過(guò)光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測(cè)——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號(hào)捕捉受限的不足。鎖相熱成像系統(tǒng)結(jié)合電激勵(lì)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)電子元件工作狀態(tài)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在的過(guò)熱或接觸不良問(wèn)題。芯片用鎖相紅外熱成像系統(tǒng)廠家電話電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)...

在實(shí)際應(yīng)用中，這款設(shè)備已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的 “故障診斷利器”。在晶圓制造環(huán)節(jié)，它能通過(guò)熱分布成像識(shí)別光刻缺陷導(dǎo)致的局部漏電；在芯片封裝階段，可定位引線鍵合不良引發(fā)的接觸電阻過(guò)熱；針對(duì) IGBT 等功率器件，能捕捉高頻開(kāi)關(guān)下的瞬態(tài)熱行為，提前預(yù)警潛在失效風(fēng)險(xiǎn)。某半導(dǎo)體企業(yè)在檢測(cè)一批失效芯片時(shí)，傳統(tǒng)熱成像設(shè)備能看到模糊的發(fā)熱區(qū)域，而使用致晟光電的一體化設(shè)備后，通過(guò)鎖相技術(shù)發(fā)現(xiàn)發(fā)熱區(qū)域內(nèi)存在一個(gè) 2μm 的微小熱點(diǎn)，終定位為芯片內(nèi)部的金屬離子遷移缺陷 —— 這類缺陷若未及時(shí)發(fā)現(xiàn)，可能導(dǎo)致產(chǎn)品在長(zhǎng)期使用中突然失效。鎖相熱成像系統(tǒng)解析電激勵(lì)產(chǎn)生的溫度場(chǎng)信息。自銷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)測(cè)試 在當(dāng)今科技飛速發(fā)...

先進(jìn)的封裝應(yīng)用、復(fù)雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長(zhǎng)給故障定位和分析帶來(lái)了前所未有的挑戰(zhàn)。有缺陷或性能不佳的半導(dǎo)體器件通常表現(xiàn)出局部功率損耗的異常分布，導(dǎo)致局部溫度升高。RTTLIT系統(tǒng)利用鎖相紅外熱成像進(jìn)行半導(dǎo)體器件故障定位，可以準(zhǔn)確有效地定位這些目標(biāo)區(qū)域。LIT是一種動(dòng)態(tài)紅外熱成像形式，與穩(wěn)態(tài)熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導(dǎo)體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環(huán)境中進(jìn)行，無(wú)需光屏蔽箱。高靈敏度紅外相機(jī)（ mK 級(jí)），需滿足高幀率（至少為激勵(lì)頻率的 2 倍，遵循采樣定理）...

在電子產(chǎn)業(yè)中，電激勵(lì)與鎖相熱成像系統(tǒng)的結(jié)合為電子元件檢測(cè)帶來(lái)了前所未有的高效解決方案。電激勵(lì)的原理是向電子元件施加特定頻率的周期性電流，利用電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)產(chǎn)生的焦耳效應(yīng)，使元件內(nèi)部產(chǎn)生均勻且可控的熱量。當(dāng)元件存在短路、虛焊、內(nèi)部裂紋等缺陷時(shí)，缺陷區(qū)域的熱傳導(dǎo)特性會(huì)與正常區(qū)域產(chǎn)生明顯差異，進(jìn)而導(dǎo)致溫度分布出現(xiàn)異常。鎖相熱成像系統(tǒng)憑借其高靈敏度的紅外探測(cè)能力和先進(jìn)的鎖相處理技術(shù)，能夠捕捉這些細(xì)微的溫度變化，即使是微米級(jí)的缺陷也能被清晰識(shí)別。與傳統(tǒng)的探針檢測(cè)或破壞性檢測(cè)方法相比，這種非接觸式的檢測(cè)方式無(wú)需拆解元件，從根本上避免了對(duì)元件的損傷，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)大批量元件的快速檢測(cè)。例如，在手機(jī)芯片的批量質(zhì)...

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測(cè)原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過(guò)光子檢測(cè)手段來(lái)精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來(lái)識(shí)別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測(cè)系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測(cè)光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對(duì)金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測(cè)未開(kāi)封芯片中的失效點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問(wèn)題。電激勵(lì)強(qiáng)度可控，保障鎖相熱成像系統(tǒng)檢測(cè)安全。制冷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)對(duì)比...

光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測(cè)系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ)，能夠協(xié)同應(yīng)對(duì)集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在于，即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”，其仍能通過(guò)光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測(cè)——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號(hào)捕捉受限的不足。本系統(tǒng)對(duì)鎖相處理后的振幅和相位數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，生成振幅熱圖和相位熱圖，并通過(guò)算法定位異常區(qū)域。實(shí)時(shí)成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)在電子行業(yè)，鎖相熱成像系統(tǒng)為芯片檢測(cè)...