EMMI的本質(zhì)只是一臺光譜范圍廣，光子靈敏度高的顯微鏡。

但是為什么EMMI能夠應(yīng)用于IC的失效分析呢？

原因就在于集成電路在通電后會出現(xiàn)三種情況：1.載流子復合；2.熱載流子；3.絕緣層漏電。當這三種情況發(fā)生時集成電路上就會產(chǎn)生微弱的熒光，這時EMMI就能捕獲這些微弱熒光，這就給了EMMI一個應(yīng)用的機會而在IC的失效分析中，我們給予失效點一個偏壓產(chǎn)生熒光，然后EMMI捕獲電流中產(chǎn)生的微弱熒光。原理上，不管IC是否存在缺陷，只要滿足其機理在EMMI下都能觀測到熒光 我司自主研發(fā)的桌面級設(shè)備其緊湊的機身設(shè)計，可節(jié)省實驗室空間，適合在小型研發(fā)機構(gòu)或生產(chǎn)線上靈活部署。高分辨率微光顯微鏡用途

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導電阻變化來識別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測未開封芯片中的失效點，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。IC微光顯微鏡原理氧化層漏電及多晶硅晶須引發(fā)電流異常時，會產(chǎn)生光子，使微光顯微鏡下出現(xiàn)亮點。

例如，當某批芯片在測試中發(fā)現(xiàn)漏電失效時，我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置，為后續(xù)通過聚焦離子束（FIB）切割進行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵前提?？梢哉f，我們的設(shè)備是半導體行業(yè)失效分析中定位失效點的工具，其的探測能力和高效的分析效率，為后續(xù)問題的解決奠定了不可或缺的基礎(chǔ)。

在芯片研發(fā)階段，它能幫助研發(fā)人員快速鎖定設(shè)計或工藝中的隱患，避免資源的無效投入；在量產(chǎn)過程中，它能及時發(fā)現(xiàn)批量性失效的源頭，為生產(chǎn)線調(diào)整爭取寶貴時間，降低損失；在產(chǎn)品應(yīng)用端，它能為可靠性問題的排查提供方向，助力企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量和市場口碑。無論是先進制程的芯片研發(fā)，還是成熟工藝的量產(chǎn)檢測，我們的設(shè)備都以其獨特的技術(shù)優(yōu)勢，成為失效分析流程中無法替代的關(guān)鍵一環(huán)，為半導體企業(yè)的高效運轉(zhuǎn)和技術(shù)升級提供有力支撐。

芯片制造工藝復雜精密，從設(shè)計到量產(chǎn)的每一個環(huán)節(jié)都可能潛藏缺陷，而失效分析作為測試流程的重要一環(huán)，是攔截不合格產(chǎn)品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術(shù)，能夠捕捉到芯片內(nèi)部因漏電、熱失控等故障產(chǎn)生的微弱發(fā)光信號，定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力，能幫助企業(yè)快速鎖定問題所在 —— 無論是設(shè)計環(huán)節(jié)的邏輯漏洞，還是制造過程中的材料雜質(zhì)、工藝偏差，都能被及時發(fā)現(xiàn)。這意味著企業(yè)可以針對性地優(yōu)化生產(chǎn)工藝、改進設(shè)計方案，從而提升芯片良率。在當前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)成本的降低，讓企業(yè)在價格競爭中占據(jù)更有利的位置。微光顯微鏡能檢測半導體器件微小缺陷和失效點，及時發(fā)現(xiàn)隱患，保障設(shè)備可靠運行、提升通信質(zhì)量。

在半導體芯片的精密檢測領(lǐng)域，微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”，各自憑借獨特的技術(shù)原理與應(yīng)用優(yōu)勢，在芯片質(zhì)量管控與失效分析中發(fā)揮著不可替代的作用。二者雖同服務(wù)于芯片檢測，但在邏輯與適用場景上的差異，使其成為互補而非替代的檢測組合。從技術(shù)原理來看，兩者的 “探測語言” 截然不同。

微光顯微鏡是 “光子的捕捉者”，其重心在于高靈敏度的光子傳感器，能夠捕捉芯片內(nèi)部因電性能異常釋放的微弱光信號 —— 這些信號可能來自 PN 結(jié)漏電時的電子躍遷，或是柵氧擊穿瞬間的能量釋放，波長多集中在可見光至近紅外范圍。

靜電放電破壞半導體器件時，微光顯微鏡偵測其光子可定位故障點，助分析原因程度。IC微光顯微鏡規(guī)格尺寸

但歐姆接觸和部分金屬互聯(lián)短路時，產(chǎn)生的光子十分微弱，難以被微光顯微鏡偵測到，借助近紅外光進行檢測。。高分辨率微光顯微鏡用途

EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設(shè)備，其漏電定位功能對于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領(lǐng)域，對芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運行過程中，微小漏電現(xiàn)象較為常見，且在特定條件下，這些微弱的漏電可能會被放大，導致芯片乃至整個控制系統(tǒng)的失效。因此，芯片微漏電現(xiàn)象在集成電路失效分析中占據(jù)著至關(guān)重要的地位。此外，考慮到大多數(shù)集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間，工作電流即便是微安或毫安級別的漏電流也足以表明芯片已經(jīng)出現(xiàn)失效。因此，準確判斷漏流位置對于確定芯片失效的根本原因至關(guān)重要。 高分辨率微光顯微鏡用途

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