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實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡批量定制

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-15

在故障分析領(lǐng)域,微光顯微鏡(EmissionMicroscope,EMMI)是一種極具實(shí)用價(jià)值且效率出眾的分析工具。其功能是探測(cè)集成電路(IC)內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中,電子-空穴對(duì)(ElectronHolePairs,EHP)的復(fù)合過(guò)程會(huì)伴隨光子(Photon)的釋放。具體可舉例說(shuō)明:當(dāng)P-N結(jié)施加偏壓時(shí),N區(qū)的電子會(huì)向P區(qū)擴(kuò)散,同時(shí)P區(qū)的空穴也會(huì)向N區(qū)擴(kuò)散,隨后這些擴(kuò)散的載流子會(huì)與對(duì)應(yīng)區(qū)域的載流子(即擴(kuò)散至P區(qū)的電子與P區(qū)的空穴、擴(kuò)散至N區(qū)的空穴與N區(qū)的電子)發(fā)生EHP復(fù)合,并在此過(guò)程中釋放光子。但歐姆接觸和部分金屬互聯(lián)短路時(shí),產(chǎn)生的光子十分微弱,難以被微光顯微鏡偵測(cè)到,借助近紅外光進(jìn)行檢測(cè)。。實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡批量定制

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半導(dǎo)體材料分為直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體,而Si是典型的直接帶隙半導(dǎo)體,其禁帶寬度為1.12eV。所以當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí),電子會(huì)彈射出一個(gè)光子,該光子的能量為1.12eV,根據(jù)波粒二象性原理,該光子的波長(zhǎng)為1100nm,屬于紅外光區(qū)。通俗的講就是當(dāng)載流子進(jìn)行復(fù)合的時(shí)候就會(huì)產(chǎn)生1100nm的紅外光。這也就是產(chǎn)生亮點(diǎn)的原因之一:載流子復(fù)合。所以正偏二極管的PN結(jié)處能看到亮點(diǎn)。如果MOS管產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象,(體寄生三極管導(dǎo)通)也會(huì)觀察到在襯底處產(chǎn)生熒光亮點(diǎn)。國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡價(jià)格走勢(shì)微光顯微鏡的自動(dòng)瑕疵分類系統(tǒng),可依據(jù)發(fā)光的強(qiáng)度、形狀等特征進(jìn)行歸類,提高檢測(cè)報(bào)告的生成效率。

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得注意的是,兩種技術(shù)均支持對(duì)芯片進(jìn)行正面檢測(cè)(從器件有源區(qū)一側(cè)觀測(cè))與背面檢測(cè)(透過(guò)硅襯底觀測(cè)),可根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)、封裝形式靈活選擇檢測(cè)角度,確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點(diǎn)(如微米級(jí)甚至納米級(jí)缺陷)。在實(shí)際失效分析流程中,PEM系統(tǒng)先通過(guò)EMMI與OBIRCH的協(xié)同掃描定位可疑區(qū)域,隨后結(jié)合去層處理(逐層去除芯片的金屬布線層、介質(zhì)層等)、掃描電子顯微鏡(SEM)的高分辨率成像以及光學(xué)顯微鏡的細(xì)節(jié)觀察,進(jìn)一步界定缺陷的物理形態(tài)(如金屬線腐蝕、氧化層剝落、晶體管柵極破損等),終追溯失效機(jī)理(如電遷移、熱載流子注入、工藝污染等)并完成根因分析。這種“定位-驗(yàn)證-溯源”的完整閉環(huán),使得PEM系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件與集成電路的失效分析領(lǐng)域得到了關(guān)鍵的應(yīng)用。


對(duì)半導(dǎo)體研發(fā)工程師而言,排查的過(guò)程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產(chǎn)工藝制程損傷等潛在因素后,若仍未找到癥結(jié),往往需要芯片原廠介入,通過(guò)剖片分析深入探究?jī)?nèi)核。

然而,受限于專業(yè)分析設(shè)備的缺乏,再加上芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)涉及機(jī)密,工程師難以深入了解其底層構(gòu)造,這就導(dǎo)致他們?cè)诿鎸?duì)原廠出具的分析報(bào)告時(shí),常常陷入 “被動(dòng)接受” 的局面 —— 既無(wú)法完全驗(yàn)證報(bào)告的細(xì)節(jié),也難以基于自身判斷提出更具針對(duì)性的疑問(wèn)或補(bǔ)充分析方向。 半導(dǎo)體失效分析中,微光顯微鏡可偵測(cè)失效器件光子,定位如 P-N 接面漏電等故障點(diǎn),助力改進(jìn)工藝、提升質(zhì)量。



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同時(shí),微光顯微鏡(EMMI)帶來(lái)的高效失效分析能力,能大幅縮短研發(fā)周期。在新產(chǎn)品研發(fā)階段,快速發(fā)現(xiàn)并解決失效問(wèn)題,可避免研發(fā)過(guò)程中的反復(fù)試錯(cuò),加快產(chǎn)品從實(shí)驗(yàn)室走向市場(chǎng)的速度。當(dāng)市場(chǎng)需求瞬息萬(wàn)變時(shí),更快的研發(fā)響應(yīng)速度意味著企業(yè)能搶先推出符合市場(chǎng)需求的產(chǎn)品,搶占市場(chǎng)先機(jī)。例如,在當(dāng)下市場(chǎng) 5G 芯片、AI 芯片等領(lǐng)域,技術(shù)迭代速度極快,誰(shuí)能更早解決研發(fā)中的失效難題,誰(shuí)就能在技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中爭(zhēng)先一步,建立起差異化的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。通過(guò)調(diào)節(jié)探測(cè)靈敏度,它能適配不同漏電流大小的檢測(cè)需求,靈活應(yīng)對(duì)多樣的檢測(cè)場(chǎng)景。IC微光顯微鏡校準(zhǔn)方法

處理 ESD 閉鎖效應(yīng)時(shí),微光顯微鏡檢測(cè)光子可判斷其位置和程度,為研究機(jī)制、制定防護(hù)措施提供支持。實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡批量定制

此外,可靠的產(chǎn)品質(zhì)量是企業(yè)贏得客戶信任、鞏固市場(chǎng)份額的基礎(chǔ)。通過(guò)微光顯微鏡(EMMI)的嚴(yán)格檢測(cè),企業(yè)能確保交付給客戶的芯片具備穩(wěn)定的性能和較高的可靠性,減少因產(chǎn)品故障導(dǎo)致的客戶投訴和返工或者退貨風(fēng)險(xiǎn)。這種對(duì)質(zhì)量的堅(jiān)守,會(huì)逐漸積累成企業(yè)的品牌口碑,使客戶在選擇供應(yīng)商時(shí)更傾向于信賴具備完善檢測(cè)能力的企業(yè),從而增強(qiáng)企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

微光顯微鏡不僅是一種檢測(cè)工具,更是半導(dǎo)體企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量、加快研發(fā)進(jìn)度、筑牢品牌根基的戰(zhàn)略資產(chǎn)。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨白熱化的當(dāng)今,配備先進(jìn)的微光顯微鏡設(shè)備,將幫助企業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)爭(zhēng)奪中持續(xù)領(lǐng)跑,構(gòu)筑起難以復(fù)制的核心競(jìng)爭(zhēng)力。 實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡批量定制

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