我司專注于微弱信號(hào)處理技術(shù)的深度開(kāi)發(fā)與場(chǎng)景化應(yīng)用，憑借深厚的技術(shù)積累，已成功推出多系列失效分析檢測(cè)設(shè)備及智能化解決方案。更懂本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求，軟件界面貼合工程師操作習(xí)慣，無(wú)需額外適配成本即可快速融入產(chǎn)線流程。

性價(jià)比優(yōu)勢(shì)直擊痛點(diǎn)：相比進(jìn)口設(shè)備，采購(gòu)成本降低 30% 以上，且本土化售后團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn) 24 小時(shí)響應(yīng)、48 小時(shí)現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)，備件供應(yīng)周期縮短至 1 周內(nèi)，徹底擺脫進(jìn)口設(shè)備 “維護(hù)慢、成本高” 的困境。用國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡，為芯片質(zhì)量把關(guān)，讓失效分析更高效、更經(jīng)濟(jì)、更可控！ 處理 ESD 閉鎖效應(yīng)時(shí)，微光顯微鏡檢測(cè)光子可判斷其位置和程度，為研究機(jī)制、制定防護(hù)措施提供支持。半導(dǎo)體微光顯微鏡用戶體驗(yàn)

微光顯微鏡（EMMI）無(wú)法探測(cè)到亮點(diǎn)的情況:

一、不會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的故障有歐姆接觸（OhmicContact）金屬互聯(lián)短路（MetalInterconnectShort）表面反型層（SurfaceInversionLayer）硅導(dǎo)電通路（SiliconConductingPath）等。

二、亮點(diǎn)被遮蔽的情況有掩埋結(jié)（BuriedJunctions）及金屬下方的漏電點(diǎn)（LeakageSitesunderMetal）。此類情況可采用背面觀測(cè)模式（backsidemode），但該模式*能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需對(duì)樣品進(jìn)行減薄及拋光處理等。 無(wú)損微光顯微鏡原理微光顯微鏡能檢測(cè)半導(dǎo)體器件微小缺陷和失效點(diǎn)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)隱患，保障設(shè)備可靠運(yùn)行、提升通信質(zhì)量。

例如，當(dāng)某批芯片在測(cè)試中發(fā)現(xiàn)漏電失效時(shí)，我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置，為后續(xù)通過(guò)聚焦離子束（FIB）切割進(jìn)行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵前提?？梢哉f(shuō)，我們的設(shè)備是半導(dǎo)體行業(yè)失效分析中定位失效點(diǎn)的工具，其的探測(cè)能力和高效的分析效率，為后續(xù)問(wèn)題的解決奠定了不可或缺的基礎(chǔ)。

在芯片研發(fā)階段，它能幫助研發(fā)人員快速鎖定設(shè)計(jì)或工藝中的隱患，避免資源的無(wú)效投入；在量產(chǎn)過(guò)程中，它能及時(shí)發(fā)現(xiàn)批量性失效的源頭，為生產(chǎn)線調(diào)整爭(zhēng)取寶貴時(shí)間，降低損失；在產(chǎn)品應(yīng)用端，它能為可靠性問(wèn)題的排查提供方向，助力企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量和市場(chǎng)口碑。無(wú)論是先進(jìn)制程的芯片研發(fā)，還是成熟工藝的量產(chǎn)檢測(cè)，我們的設(shè)備都以其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為失效分析流程中無(wú)法替代的關(guān)鍵一環(huán)，為半導(dǎo)體企業(yè)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)和技術(shù)升級(jí)提供有力支撐。

此外，可靠的產(chǎn)品質(zhì)量是企業(yè)贏得客戶信任、鞏固市場(chǎng)份額的基礎(chǔ)。通過(guò)微光顯微鏡(EMMI)的嚴(yán)格檢測(cè)，企業(yè)能確保交付給客戶的芯片具備穩(wěn)定的性能和較高的可靠性，減少因產(chǎn)品故障導(dǎo)致的客戶投訴和返工或者退貨風(fēng)險(xiǎn)。這種對(duì)質(zhì)量的堅(jiān)守，會(huì)逐漸積累成企業(yè)的品牌口碑，使客戶在選擇供應(yīng)商時(shí)更傾向于信賴具備完善檢測(cè)能力的企業(yè)，從而增強(qiáng)企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

微光顯微鏡不僅是一種檢測(cè)工具，更是半導(dǎo)體企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量、加快研發(fā)進(jìn)度、筑牢品牌根基的戰(zhàn)略資產(chǎn)。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨白熱化的當(dāng)今，配備先進(jìn)的微光顯微鏡設(shè)備，將幫助企業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)爭(zhēng)奪中持續(xù)領(lǐng)跑，構(gòu)筑起難以復(fù)制的核心競(jìng)爭(zhēng)力。 我司微光顯微鏡分析 PCB/PCBA 失效元器件周圍光子，可判斷其是否失效及類型位置，提高維修效率、降低成本。

EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設(shè)備，其漏電定位功能對(duì)于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領(lǐng)域，對(duì)芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運(yùn)行過(guò)程中，微小漏電現(xiàn)象較為常見(jiàn)，且在特定條件下，這些微弱的漏電可能會(huì)被放大，導(dǎo)致芯片乃至整個(gè)控制系統(tǒng)的失效。因此，芯片微漏電現(xiàn)象在集成電路失效分析中占據(jù)著至關(guān)重要的地位。此外，考慮到大多數(shù)集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間，工作電流即便是微安或毫安級(jí)別的漏電流也足以表明芯片已經(jīng)出現(xiàn)失效。因此，準(zhǔn)確判斷漏流位置對(duì)于確定芯片失效的根本原因至關(guān)重要。 我司團(tuán)隊(duì)改進(jìn)算法等技術(shù)，整合出 EMMI 芯片漏電定位系統(tǒng)，價(jià)低且數(shù)據(jù)整理準(zhǔn)、操作便，性價(jià)比高，居行業(yè)先頭。無(wú)損微光顯微鏡大全

在超導(dǎo)芯片檢測(cè)中，可捕捉超導(dǎo)態(tài)向正常態(tài)轉(zhuǎn)變時(shí)的異常發(fā)光，助力超導(dǎo)器件的性能優(yōu)化。半導(dǎo)體微光顯微鏡用戶體驗(yàn)

半導(dǎo)體材料分為直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體，而Si是典型的直接帶隙半導(dǎo)體，其禁帶寬度為1.12eV。所以當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)，電子會(huì)彈射出一個(gè)光子，該光子的能量為1.12eV，根據(jù)波粒二象性原理，該光子的波長(zhǎng)為1100nm，屬于紅外光區(qū)。通俗的講就是當(dāng)載流子進(jìn)行復(fù)合的時(shí)候就會(huì)產(chǎn)生1100nm的紅外光。這也就是產(chǎn)生亮點(diǎn)的原因之一：載流子復(fù)合。所以正偏二極管的PN結(jié)處能看到亮點(diǎn)。如果MOS管產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象，（體寄生三極管導(dǎo)通）也會(huì)觀察到在襯底處產(chǎn)生熒光亮點(diǎn)。半導(dǎo)體微光顯微鏡用戶體驗(yàn)

蘇州致晟光電科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在江蘇省等地區(qū)的機(jī)械及行業(yè)設(shè)備中匯聚了大量的人脈以及客戶資源，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是最好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同蘇州致晟光電科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái)，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！