半導(dǎo)體材料分為直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體，而Si是典型的直接帶隙半導(dǎo)體，其禁帶寬度為1.12eV。所以當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)，電子會(huì)彈射出一個(gè)光子，該光子的能量為1.12eV，根據(jù)波粒二象性原理，該光子的波長(zhǎng)為1100nm，屬于紅外光區(qū)。通俗的講就是當(dāng)載流子進(jìn)行復(fù)合的時(shí)候就會(huì)產(chǎn)生1100nm的紅外光。這也就是產(chǎn)生亮點(diǎn)的原因之一：載流子復(fù)合。所以正偏二極管的PN結(jié)處能看到亮點(diǎn)。如果MOS管產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象，（體寄生三極管導(dǎo)通）也會(huì)觀察到在襯底處產(chǎn)生熒光亮點(diǎn)。分析低阻抗短路時(shí)，微光顯微鏡可用于未開(kāi)蓋樣品測(cè)試，還能定位大型 PCB 上金屬線(xiàn)路及元器件失效點(diǎn)。國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡用途

致晟光電作為蘇州本土的光電檢測(cè)設(shè)備研發(fā)制造企業(yè)，其本地化服務(wù)目前以國(guó)內(nèi)市場(chǎng)為主要覆蓋區(qū)域 。尤其在華東地區(qū)，依托總部蘇州的地理優(yōu)勢(shì)，對(duì)上海、江蘇、浙江等周邊省市實(shí)現(xiàn)高效服務(wù)。無(wú)論是設(shè)備的安裝調(diào)試，還是售后的故障維修、技術(shù)咨詢(xún)，都能在短時(shí)間內(nèi)響應(yīng)，例如在蘇州本地，接到客戶(hù)需求后，普遍可在數(shù)小時(shí)內(nèi)安排技術(shù)人員上門(mén)服務(wù)。在全國(guó)范圍內(nèi)，致晟光電已通過(guò)建立銷(xiāo)售服務(wù)網(wǎng)點(diǎn)、與當(dāng)?shù)亟?jīng)銷(xiāo)商合作等方式，保障本地化服務(wù)的覆蓋。
科研用微光顯微鏡探測(cè)器處理 ESD 閉鎖效應(yīng)時(shí)，微光顯微鏡檢測(cè)光子可判斷其位置和程度，為研究機(jī)制、制定防護(hù)措施提供支持。

微光顯微鏡技術(shù)特性差異

探測(cè)靈敏度方向：EMMI 追求對(duì)微弱光子的高靈敏度（可檢測(cè)單光子級(jí)別信號(hào)），需配合暗場(chǎng)環(huán)境減少干擾；熱紅外顯微鏡則強(qiáng)調(diào)溫度分辨率（部分設(shè)備可達(dá) 0.01℃），需抑制環(huán)境熱噪聲。

空間分辨率：EMMI 的分辨率受光學(xué)系統(tǒng)和光子波長(zhǎng)限制，通常在微米級(jí)；熱紅外顯微鏡的分辨率與紅外波長(zhǎng)、鏡頭數(shù)值孔徑相關(guān)，一般略低于 EMMI，但更注重大面積熱分布的快速成像。

樣品處理要求：EMMI 對(duì)部分遮蔽性失效（如金屬下方漏電）需采用背面觀測(cè)模式，可能需要減薄、拋光樣品；

處理要求：熱紅外顯微鏡可透過(guò)封裝材料（如陶瓷、塑料）探測(cè)，對(duì)樣品破壞性較小，更適合非侵入式初步篩查。

微光顯微鏡下可以產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷，

如：1.漏電結(jié)(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(yīng)(Hotelectrons);4.閂鎖效應(yīng)(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶須(Poly-siliconfilaments);7.襯底損傷(Substratedamage);8.物理?yè)p傷(Mechanicaldamage)等。

當(dāng)然，部分情況下也會(huì)出現(xiàn)樣品本身的亮點(diǎn)，

如：1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse；等

出現(xiàn)亮點(diǎn)時(shí)應(yīng)注意區(qū)分是否為這些情況下產(chǎn)生的亮點(diǎn)另外也會(huì)出現(xiàn)偵測(cè)不到亮點(diǎn)的情況，

如：1.歐姆接觸；2.金屬互聯(lián)短路；3.表面反型層；4.硅導(dǎo)電通路等。

若一些亮點(diǎn)被遮蔽的情況，即為BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal，這種情況可以嘗試采用backside模式，但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。 支持離線(xiàn)數(shù)據(jù)分析，可將檢測(cè)圖像導(dǎo)出后進(jìn)行深入處理，不占用設(shè)備的實(shí)時(shí)檢測(cè)時(shí)間。

在故障分析領(lǐng)域，微光顯微鏡（EmissionMicroscope,EMMI）是一種極具實(shí)用價(jià)值且效率出眾的分析工具。其功能是探測(cè)集成電路（IC）內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中，電子-空穴對(duì)（ElectronHolePairs,EHP）的復(fù)合過(guò)程會(huì)伴隨光子（Photon）的釋放。具體可舉例說(shuō)明：當(dāng)P-N結(jié)施加偏壓時(shí)，N區(qū)的電子會(huì)向P區(qū)擴(kuò)散，同時(shí)P區(qū)的空穴也會(huì)向N區(qū)擴(kuò)散，隨后這些擴(kuò)散的載流子會(huì)與對(duì)應(yīng)區(qū)域的載流子（即擴(kuò)散至P區(qū)的電子與P區(qū)的空穴、擴(kuò)散至N區(qū)的空穴與N區(qū)的電子）發(fā)生EHP復(fù)合，并在此過(guò)程中釋放光子。靜電放電破壞半導(dǎo)體器件時(shí)，微光顯微鏡偵測(cè)其光子可定位故障點(diǎn)，助分析原因程度。檢測(cè)用微光顯微鏡品牌

微光顯微鏡的便攜款桌面級(jí)設(shè)計(jì)，方便在生產(chǎn)線(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)快速檢測(cè)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品問(wèn)題，減少不合格品流出。國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡用途

選擇國(guó)產(chǎn) EMMI 微光顯微鏡，既是擁抱技術(shù)自主，更是搶占效率與成本的雙重優(yōu)勢(shì)！致晟光電全本土化研發(fā)實(shí)力，與南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院深度攜手，致力于光電技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，充分發(fā)揮其科研優(yōu)勢(shì)，構(gòu)建起產(chǎn)學(xué)研深度融合的技術(shù)研發(fā)體系。

憑借這一堅(jiān)實(shí)后盾，我們的 EMMI 微光顯微鏡在性能上實(shí)現(xiàn)更佳突破：-80℃制冷型探測(cè)器搭配高分辨率物鏡，輕松捕捉極微弱漏電流光子信號(hào)，漏電缺陷定位精度與國(guó)際設(shè)備同步，讓每一個(gè)細(xì)微失效點(diǎn)無(wú)所遁形。 國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡用途