對比：場效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點：1.場效應(yīng)管的源極s、柵極g、漏極d分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。2.場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應(yīng)管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。3.場效應(yīng)管柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應(yīng)管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應(yīng)管是由多子參與導(dǎo)電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場效應(yīng)管。JFET在低頻放大和高阻抗放大中比較常用，其工作原理比較簡單。中山絕緣柵場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家

功耗低場效應(yīng)管完美順應(yīng)了當(dāng)今節(jié)能減排的時代趨勢。通過對溝道結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化設(shè)計，采用新型的低電阻材料，明顯降低了導(dǎo)通電阻，從而大幅減少了電流通過時的能量損耗。在可穿戴設(shè)備領(lǐng)域，電池續(xù)航一直是困擾用戶的難題。以智能手環(huán)為例，其內(nèi)部空間有限，電池容量不大，但卻需要持續(xù)運行多種功能，如心率監(jiān)測、運動追蹤、信息提醒等。功耗低場效應(yīng)管應(yīng)用于智能手環(huán)的電源管理和信號處理電路后，能夠大幅降低整體功耗。原本只能續(xù)航 1 - 2 天的智能手環(huán)，采用此類場效應(yīng)管后，續(xù)航可提升至 7 - 10 天，極大地提升了用戶使用的便利性，讓用戶無需頻繁充電，能夠持續(xù)享受智能手環(huán)帶來的便捷服務(wù)，有力地推動了可穿戴設(shè)備的普及與發(fā)展，讓健康監(jiān)測與便捷生活時刻相伴。徐州源極場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家場效應(yīng)管需遵循正確的電路連接方式，通常包括源極、柵極和漏極三個引腳，根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電壓。

場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。

測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回?zé)o限大，則MOS完好。3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無限大。4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場，因為電場產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通，故萬用表指針偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)的角度大，放電性越好。在安裝場效應(yīng)管時，要確保其散熱良好，避免過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放，此時阻值要盡量小。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯(lián)一個二極管。當(dāng)瀉放電阻過小，由于走線電感的原因也會引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會在這個二極管上串一個小電阻)，但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰。估算導(dǎo)通損耗、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時候，就可以參考前文所指出的方法。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍，遠非一兩篇文章可以概括。場效應(yīng)管的柵極電壓對其導(dǎo)電性能有明顯影響，通過調(diào)節(jié)柵極電壓可以控制電路的輸出。徐州源極場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家

MOSFET有三個電極：柵極、漏極和源極。中山絕緣柵場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家

導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：場效應(yīng)管導(dǎo)通時的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗，較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電流，超過這個電流值可能會導(dǎo)致器件過熱、性能退化甚至長久損壞。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電壓。超過這個電壓值可能會導(dǎo)致場效應(yīng)管的擊穿、熱損傷或其他形式的損壞。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容。它影響了信號的傳輸速度和開關(guān)過程中的電荷存儲。中山絕緣柵場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家